当前位置:

OFweek电子工程网

IC设计

正文

高通骁龙835发布 基于三星10nm工艺

导读: 昨日高通公司宣布,正式推出旗下新一代旗舰处理器高通骁龙835。该处理器由三星电子代工,采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。

  OFweek电子工程网讯 昨日高通公司宣布,正式推出旗下新一代旗舰处理器高通骁龙835。该处理器由三星电子代工,采用三星10纳米FinFET制程工艺打造。

  高通骁龙835发布 基于三星10nm工艺

  今年10月,三星宣布率先在业界实现了10纳米 FinFET工艺的量产。与其上一代14纳米FinFET工艺相比,三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

  高通骁龙835发布 基于三星10nm工艺

  通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

  三星执行副总裁及晶圆代工业务主管Jong Shik Yoon表示:“我们很高兴有机会与高通进行密切合作,采用我们的10纳米 FinFET工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑,此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

  高通骁龙835发布 基于三星10nm工艺

  骁龙820/21处理器被今年大部分旗舰手机采用,已经拥有超过200款设计发布或正在开发中,而骁龙835正是其后续产品。目前,骁龙835已经投入生产,预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。

  值得注意的是,韩媒在10月初报道过,在MWC2017大会期间,三星会发布Galaxy S8,具体时间是2017年2月26日,据悉该机有一半机型将使用高通骁龙835处理器。

责任编辑:Trista
免责声明: 本文仅代表作者个人观点,与 OFweek电子工程网 无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实, 对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅 作参考,并请自行核实相关内容。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: