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骁龙835采用三星10nm工艺 速度更快功耗更低

导读: 通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

  OFweek电子工程网讯 期盼已久的骁龙830没了,为啥?因为它改名叫骁龙835了。昨晚,高通宣布推出年度旗舰芯片——高通骁龙835。骁龙835作为骁龙821/820的继任者,采用三星10nm FinFET制程工艺打造,据介绍,该芯片面积比之前使用14nm制造工艺的高通骁龙820和821减少30%,执行速度提升27%,功耗下降40%。同时支持Quick Charge4.0技术,也就是我们说的快充4.0。

  通过采用10纳米FinFET工艺,骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸,让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

  高通表示,该芯片已经开始批量生产,明年上半年正式商用,首批搭载10nm制程骁龙835芯片的手机很可能在明年二月的世界移动通信大会上首次亮相,不过目前并没有更多关于骁龙835的配置参数。

  三星对自家的10nm工艺赞赏不已,三星执行副总裁及晶圆代工业务主管 Jong Shik Yoon 表示:“我们很高兴有机会与高通进行密切合作,采用我们的 10 nm FinFET工艺生产骁龙 835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑,此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

  10月份时,三星宣布,正式开始10nm FinFET工艺SoC芯片的量产工作,进度业界第一,也就是领先台积电和英特尔。

  11月3日,三星发布了第四代14nm和第三代10nm技术。三星表示,新一代技术不仅限于智能手机芯片,还能够适用于智能汽车芯片。

  三星第三代10nm芯片(LPU),与第一代(LPE)和第二代技术(LPP)相比减小了体积,能让产品更加轻薄。由于目前技术的局限性,10nm(LPU)将有望成为行业内最具成本效益的先进工艺。

  此外,三星还展示了采用7nm EUV技术的芯片样品。三星表示,新技术制程设计参考案(PDK)将在明年第二季度发放。

  作为三星的主要竞争对手,台积电已经宣布将于2016年末开始生产10nm工艺的芯片,2017年生产更先进的7nm工艺制程的芯片。

  包括三星和英特尔等在内的半导体制造商,长期以来一直都试图通过提升制程工艺,让每颗芯片所能包含的晶体管越来越多。在同等面积下,数量越多的晶体管往往也意味着更高的性能。

  虽然消息表示7nm将会是极限,但是什么事情都不能说得太绝对,就像两千年前的人,也不相信人类可以飞上天走出地球,我们不要把所有的事物和事件做肯定的决断,未来的事情谁能预知呢?当然,认识是不断发展的,但要受到当时历史条件的制约,就现有的技术而言,未来将有很长一段时间会是10nm和7nm的天下。

责任编辑:Trista
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