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ASML:第二代EUV系统预期2024年问世

导读: 文中合作案再一次说明了半导体产业界追赶摩尔定律(Moore's Law)的任务,是如何地越来越复杂、得付出的代价也更高。目前最先进的晶片线宽小至35奈米,而第一代EUV系统将采用0.33NA的光学镜片实现约13奈米的线宽;而0.5NA版本将能实现约8奈米的线宽...

  在第一套极紫外光(EUV)微影设备正式出货之前,荷兰半导体设备大厂ASML透露了产业界期待已久的后续计划;该公司表示将投资并与光学大厂蔡司(Carl Zeiss )合作,推出数值孔径(numerical aperture,NA)高于0.5的版本,但该新一代设备要到2024年以后才会量产。

  ASML表示准备投资20亿美元进行上述新设备的开发,将以11亿美元现金收购蔡司24.9%的股份;此外ASML将一次投资约2.44亿美元在合作研发专案上,并在接下来六年于资本设备以及其他需求方面加码投资6亿美元。

  上述合作案再一次说明了半导体产业界追赶摩尔定律(Moore's Law)的任务,是如何地越来越复杂、得付出的代价也更高。目前最先进的晶片线宽小至35奈米,而第一代EUV系统将采用0.33NA的光学镜片实现约13奈米的线宽;而0.5NA版本将能实现约8奈米的线宽。

  市场研究机构VLSI Research总裁Risto Puhakka表示:“ASML在以往不曾直接投资供应链上的任何厂商,而且是收购那么大比例的股份;这显示要打造新一代的系统是个高风险任务,同时显示投资了大笔资金的ASML确实信心满满。”

  除了宣布与蔡司的合作案讯息,ASML也表达了对其即将准备支援量产的第一代EUV系统之乐观预期;该公司执行长Peter Wennink表示:“预期到2018年,将有第一批采用现有技术之EUV扫描机的晶片在我们的客户生产线上量产出货。”

  那些第一代以EUV微影设备量产的晶片,会是采用ASML将在明年正式出货、预期吞吐量可达每小时125片晶圆、微影叠对(overlays)误差容许度在3奈米以内的NXE:3400B系统;在最近的分析师会议上,ASML表示目前有4家逻辑晶片制造商、2家记忆体晶片制造商公开表示他们将在2018年左右采用0.33NA的EUV系统进行量产。

  至于0.5NA系统预期将达到每小时185片晶圆产量,叠对误差容许度小于2奈米;在新一代的设备问世之前,ASML期望推出0.33NA系统的升级版,可支援每小时145片晶圆产量。

ASML:第二代EUV系统预期2024年问世

  图表中2018年的星星符号数量代表将采用EUV设备量产的晶片厂商数量,在2024年的星星符号则是代表ASML预期届时将推出0.5NA系统。(来源:ASML)

  投资庞大成本将带来的庞大优势

  尺寸差不多有一间小房间那么大的EUV系统,预期要价超过1亿美元;而今日最高价的步进机一台是6,000万美元起跳。ASML表示,该公司对蔡司的投资也是考量到了下一代光学零件所需的成本。

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