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展望2017年存储器市场发展 DRAM和NAND将有何表现?

导读: 美光于上周公布2017财年Q1季度财报,当季营收39.7亿美元,环比上涨23%,同比上涨19%,净利润1.8亿美元,较上个季度净亏损1.7亿美元,实现扭亏为盈,表现超市场预期。

美光于上周公布2017财年Q1季度财报,当季营收39.7亿美元,环比上涨23%,同比上涨19%,净利润1.8亿美元,较上个季度净亏损1.7亿美元,实现扭亏为盈,表现超市场预期。

展望2017年存储器市场发展 DRAM和NAND将有何表现?

收入来源构成中,DRAM与NAND表现强劲。DRAM及NAND环比出货量分别上升18%及26%、且DRAM单价环比大幅上升5%,推动整体毛利率上升至25%、环比增长7%。公司本季度净营收达1.8亿美元,较上季度亏损1.7亿美元大幅转好,但仍低于去年同期的2.06亿美元。尽管业绩仍在下滑,但公司表现已经超越市场预期。

公司杠杆比率有所降低,总债务(长期+短期债务)降低超2.65亿美元,净债务为53.21亿美元。EBITDA为34.6亿美元,对应净债务/EBITDA为1.54x。

存储器是IC产业的重要应用领域,占整个半导体市场规模超20%。该领域具有极高的技术壁垒和资本壁垒,在全球形成寡头垄断格局,包括美光在内的3-4家厂商垄断全球90%以上的市场,而国内发展相对滞后。

近几年来,存储产品受益于移动智能终端快速渗透,产品需求的高速增长,过去三年复合增长率18%,远高于半导体行业整体7%的增长速度,成为整个半导体产业增长的主要推动力。

多方利好刺激,下半年存储器价格上涨

存储器历经自2015年起一年半的低迷,自今年下半年起价格一路上扬。固态硬盘、内存条等产品大幅涨价,且经常处于缺货状态。此番涨价主要原因一方面在于各大存储厂商均处在2D NAND转向3DNAND的重要节点,出货能力受限;另一方面,全球主流消费电子厂商为拓展份额纷纷加大布局,智能手机、固态硬盘对存储器需求大增导致供不应求。

展望2017年存储器市场发展 DRAM和NAND将有何表现?

由于上半年跌幅较大,IC Insights预计2016全球存储器市场同比小幅下降1%。尽管如此,2017年存储器市场受3D NAND替代2D NAND以及下游消费电子持续强劲需求等因素驱动,涨价预期强烈。2015年全球存储器市场陷入困境。尽管存在供应商合并、产能控制、新型应用频出等诸多利好,都未提振2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多,从而在2015年下半年出现了价格暴跌,2015年存储器销售额最终为780亿美元,同比下降了3%。从2016年下半年开始情况出现反转,存储器价格开始变得异常坚挺,而且持续到2016年末。

展望2017年存储器市场发展 DRAM和NAND将有何表现?

目前主流的闪存Planar NAND,属于2D NAND。16nm、28nm仍然是NAND Flash的主流制程。随着2D NAND Flash制程微缩逐渐逼近物理极限,平面微缩工艺的难度越来越大,尤其是进入16nm后,继续采用平面微缩工艺的难度和成本已经超过3DTSV技术,厂商需要花更大的成本弥补尺寸缩小带来的可靠性减损,NAND尺寸已经达到一个可承受成本的临界值。几大存储器龙头公司在13-14年均已成功量产16nmNAND,但出于经济意义和未来发展前景的考虑,这些公司都没有进一步推出更小的平面制程,而是纷纷开始转攻3DNAND。

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