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剖析三星电子在存储器领域成功的原因

导读: 韩国半导体在1974年才开始启步,那时韩国正在推行一种叫“新社会运动”。韩国半导体工业的第一个fab,叫韩国半导体Puchon厂,建于1974年10月。由于开张就面临财务危机,同年12月,仅生存三个月,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投资兼并,后被并入三星中。

三星半导体的启步

韩国半导体在1974年才开始启步,那时韩国正在推行一种叫“新社会运动”。韩国半导体工业的第一个fab,叫韩国半导体Puchon厂,建于1974年10月。由于开张就面临财务危机,同年12月,仅生存三个月,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投资兼并,后被并入三星中。

自1980年代之后,韩国半导体业才开始跨越式的进步,三星在1983年开始筹备集成电路制造,也即DRAM的研发。

64K DRAM的研发成功,对于韩国半导体业具有里程碑意义,也是迈向全球存储器强国的第一步。在那时三星电子的科研工作者,日以继夜,努力追赶,放弃一切节假日休息,靠的是一股精神及志气。

在64K DRAM研发中,韩国非常清楚自已与先进国家之间的技术(1.5微米)差距为4年半,需要一步一步地追赶,在256K DRAM(1.2微米)时这个差距己缩短为3年。在1989年10月时三星已经成功开发出16M DRAM(采用0,25微米技术),它己领先于全球任何一家制造商。

也即三星电子从1983年开发存储器,到1989年的16M DRAM研发成功,仅利用6年的时间,前进了5代DRAM的技术,使三星电子一跃成为全球最先进的存储器制造商。

三星电子从1983年开始DRAM的研发,其中1987年就实现第一次盈利,一直到1993年16M DRAM的量产,奠定了它在全球存储器霸主的地位。

它最为关键的决策是三星在1993年时就大胆地投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。在当时全球6英寸硅片是主流地位,如英特尔与台积电分别于1992年及1996年才兴建它们的第一条8英寸生产线。因为当时投资一条8英寸生产线的费用高达10000亿韩元(相当于10亿美元以上)风险是很大。

1994年是韩国半导体工业的转折点,三星首先发布全球首块256M DRAM。当时256M DRAM意味着在手指甲大小的芯片上集成2.56亿个晶体管及2.56亿个电容。

为了超过日本半导体,三星电子在开发64M DRAM的同时就己经组建256M DRAM研发团队。70位研究人员在Hwan Chang-Kyu领导下努力奋战,经过两年的努力终于在1994年8月29日研制成功全球第一块256M DRAM芯片。

非常有兴趣的是第一批样品就实现了全功能,所以检验及测量的次数反复达10次之多,生怕有误差。由此奠定了在存储器方面韩国超过日本的基础。

三星电子成功的原因初探

1980年代后韩国政府改变半导体产业政策,转向扶持DRAM,此时三星半导体开始获得政府支持。当时韩国政府组织“官民一体”的DRAM共同开发项目,也是通过政府的投资来发展DRAM产业。

进入DRAM市场初期,三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买64K DRAM技术,之后自已开始开发256KDRAM。为了提高技术,这时三星半导体用高薪聘请在美国半导体公司工作过的韩国人,工资比总裁高4-5倍。

另外,三星在美国建立研发中心,并配置相同的生产设备,让这些高薪人员来培训本土的工程师。然后经过培训后的工程师再回到本部,日以继夜地工作,很快三星在DRAM方面超过日本。

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