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漫漫存储路 中国还有几道关卡待过

导读: 过去几年,中国正在疯狂存储产业,尤其是经历了2016年的兼并整合以后,中国的存储产业初具规模。但就目前看来,中国存储能否大获成功,就得看在来年,包括Intel、三星、美光等知名的存储产品供应商是否愿意和中国签署相关技术授权协议。

过去几年,中国正在疯狂存储产业,尤其是经历了2016年的兼并整合以后,中国的存储产业初具规模。但就目前看来,中国存储能否大获成功,就得看在来年,包括Intel、三星、美光等知名的存储产品供应商是否愿意和中国签署相关技术授权协议。

对中国利好的消息是,现在行业内的存储玩家都不想看到三星持续一家独大的现状,中国这波掀起对存储格局的改变,或许会吸引其他相对弱势的厂商给中国提供支持。

IC Insights的分析师指出,随着PC、数据中心服务器、平板、智能手机和其他设备的兴起,中国对DRAM和Flash的渴求达到了一个前所未有的阶段。所以他们在“十三五规划”里把发展存储放在一个重要的位置。

面临的难题

但坦白说,中国现在的技术储备,是撑不起中国现在的存储野心的。其实随着后续IoT和AI应用的大量兴起,存储需求是会大量攀升的,对于中国来说,如何迅速获得核心技术,就成为中国存储产业关注的首要问题。

据分析,中国存储还是需要关注以下问题:

(1)中国能否自主设计和生产存储芯片

(2)如果中国不能自主设计,能否买到有相关技术的公司?

(3)如果美国CFIUS拒绝中国对其本土企业发起的并购,中国还可以从哪里获得相关技术?

另外还有一个重要的问题,那就是足够是否能够笼络到一批经验足够丰富的存储相关工程师,以撑起其发展的野心。

但换个角度看,存储供应商同样面临困扰(包括美国本土的)。他们需要思考的是一旦中国不想跟他们玩,他们的未来能怎么办?

这不仅仅是中国市场的问题,还有一点就是随着技术的发展,研发成本支出也越来越大,对于一些稍欠缺点竞争力的厂商,他们还需要考虑怎样才能活下去。不差钱的中国恰好能够解决这两个问题。

美国硅谷一个不具名的半导体高层表示,如果美光和东芝不和中国达成某种合作,他们应该是最先受到冲击的。

另一个问题是,假设中国真的如期推出了其存储产品,那么在未来几年,全球市场势必会面临NAND和Flash产能过程的问题。

IC Insights最近的指出,2016年全球存储的资金支出大增,但根据过去的观察,这往往会带来产能过剩和单价下探的反效果。

这也是中国搅局全球市场,带来的另一个重要影响

纵观全球的存储市场,尤其是在热门的3D NAND FLASH市场,有三星、SK海力士、美光、Intel、东芝/闪迪、XMC/长江存储和众多新进的中国玩家。IC Insights也认为未来3D NAND Flash的市场需求是非常高的,并将会持续增长的。

而在这些玩家之中,三星在其中国西安的工作制造相关的3D NAND Flash产品,SK海力士则在无锡生产DRAM,而Intel也在今年年初,把其大连工厂转成3D NAND Flash生产基地。

需要提一下的是,中国的晶圆代工厂SMIC从很多年前开始,就逐步停止DRAM业务。

从现在看来,中国本土的存储产业虽然有点弱小,但是中国大张旗鼓的建设,大基金和政府的支持,这绝对是存储领域不能忽视的新兴力量。

从IC Insights的报告我们得知,中国现有的存储势力包括:

(1)长江存储,这是清华紫光在今年7月收购XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圆厂已经动工,产线预计2017年底或者2018年初投入使用。

(2)兆易创新和中芯国际前CEO王宁国打造的合肥长鑫,专攻DRAM,预计2017年7月动工。

(3)福建晋华项目,强攻DRAM,由当地政府和联电携手打造。预计2018年第三季度量产。

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