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能否傲视群“芯” 10nm骁龙835性能分析

导读: 如今在手机圈,一年能发布各种品牌上千款手机,但手机最核心的处理器、尤其是旗舰处理器,一年也只有那么寥寥数款。当下每代处理器的升级,不仅意味着性能的提升,在一定程度上还代表了未来产品技术演进的方向,并且影响着各品牌期间产品的发布规划。

如今在手机圈,一年能发布各种品牌上千款手机,但手机最核心的处理器、尤其是旗舰处理器,一年也只有那么寥寥数款。当下每代处理器的升级,不仅意味着性能的提升,在一定程度上还代表了未来产品技术演进的方向,并且影响着各品牌期间产品的发布规划。在2017年CES大会前夕,北京时间1月4日,高通在CES大会前夕正式揭晓了今年最顶级的处理器:骁龙835,而谁能成为这款芯片的首发产品也成了时下手机圈的一大趣谈。究竟是怎样一款芯片能让各家厂商趋之若鹜,我们今天就来看看此次骁龙835是一款怎样的产品。

能否傲视群“芯” 10nm骁龙835性能分析

三星10nm FinFET LPE工艺

此次骁龙835采用三星10nm FinFET LPE工艺,也是目前业界能量产最先进的工艺。对于FinFET工艺相信大家并不感到陌生,FinFET工艺主要是通过改造删栏形态来降低CPU漏电率,减小芯片功耗。我们都知道,半导体工艺的水准直接影响着处理器的性能。简单来说,更先进的工艺能够提升单位面积下的晶体管数量,而从运算能力的角度来讲,CPU的晶体管数量取决于CPU尚运算逻辑部件面积的大小。反之,CPU上晶体管数量越多,运算逻辑部件面积就越大,这也就意味着处理器的单位性能越高,这也就是为什么每代处理器都在不断的致力于工艺的精进。

▲骁龙835体积

从高通发布的数据来看,每颗骁龙835上都集成了30亿个晶体管,逼近iPhone7上采用的A10 Fusion 33亿的数量,因而才实现了骁龙835对比骁龙820降低了25%的功耗。在高通的介绍中,骁龙835采用第二代FinFTF工艺,能将芯片封装面积进一步减小35%,大约为153mm2,与A10 Fusion的125mm2比较接近。不过需要注意的是,骁龙835还集成了基带,因此骁龙835的封装面积还是非常不错的,而进一步降低封装面积,则能够使厂商在做内部结构设计时更加留有余地。另外,从之前看到的消息,骁龙835采用的是LPE(Low Power Early)工艺,因此笔者推测之后可能还会有一个LPP(Low Power Plus)的升级版。

Kryo 280架构:

骁龙835仍然延续kryo 架构,基于ARMv8设计,采用八核(4大核+4小核)的设计。对于现阶段的移动处理器,一般分为自研架构和公版架构(ARM标准架构),主要在于对于公版架构的二次开发,比如精简公版指令、增加处理器的各种新特性。而经过Scorpion架构、Krait架构以及骁龙820采用的Kryo架构,高通对于自研架构的技术已经比较得心应手,这也是高通对比其它还采用公版架构的处理器厂商能够实现差异化竞争的地方。

骁龙835采用4x2.45GHz+4x1.9GHz的八核心设计,在平时使用中,80%的场景下使用四颗小核工作,而在诸如APP加载、VR场景下时则开启四颗大核工作。并且根据官方介绍,骁龙835在四颗大核的L2二级缓存设计为2MB,四颗小核的L2二级缓存为1MB,相比骁龙820整整提升了一倍。我们知道,CPU中缓存的调用速度比内存快得多,而更大的缓存则可以帮助我们在平时使用中可以快速调用更多的数据。

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