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DRAM大厂不增产 2017年或面临缺货窘境

导读: 全球存储模组大厂金士顿预估,今年因为主要DRAM大厂没有增产计划,全年DRAM面临缺货窘境;群联董事长潘健成也强调,储存型快闪存储因为进入3D世代,制程良率无法提升,预估将缺货一整年。

全球存储模组大厂金士顿预估,今年因为主要DRAM大厂没有增产计划,全年DRAM面临缺货窘境;群联董事长潘健成也强调,储存型快闪存储(NAND Flash)因为进入3D世代,制程良率无法提升,预估将缺货一整年。

由于DRAM和NAND Flash是智能手机和个人电脑必备的电子元件,两项产品同步缺货,恐将冲击手机和个人电脑,甚至消费性电子产品下季出货表现,尤其对二线厂冲击会更大。

金士顿是全球存储模组龙头,也是全球DRAM和NAND芯片最大用户,针对今年存储缺货提出预警,具指标意义。

台湾金士顿董事长陈建华日前出席群联竹南三厂上梁典礼时,针对DRAM市场提出最新分析。他强调,目前主要DRAM大厂都没有增产计划,而且将产能转移生产3D NAND Flash,造成DRAM供需短缺。

根据了解,三星是这波DRAM价格上涨主要推手,目前三星逾七成产能已被苹果、自家手机和大陆OPPO和Vivo包走,能供应其他品牌或个人电脑应用有限,加上产能转进成长最快速的3D NAND Flash,虽然其他存储厂也跟进,但制程良率都没有三星顺利,让三星更有能力主导价格调升,弥补其Note 7手机电池出包全面停产的巨额损失。

除DRAM供需失衡外,相关印刷电路板材料短缺,也让DRAM供应模组供货受牵制,让DRAM缺货问题更为严重。

虽然金士顿不愿评论今年DRAM涨幅,但稍早集邦出具报告,提出首季标准型DRAM涨幅逾30%,伺服器用DRAM涨幅也在25%~30%,行动用DRAM涨幅约15%~20 %,利基型存储约10~15%,尤其标准型和伺服器用DRAM,在淡季飙出历年单季最大涨幅,凸显全球DRAM供需失衡,通路商和品牌代工厂提早在淡季备货。

过去以拥有充沛NAND Flash芯片自豪的潘健成很直接地说,群联目前有50多亿元的NAND Flash库存,但只要他一开卖,这些货应该很快在一个月内卖光,凸显缺货问题已在市场散开,并开始抢货。

潘健成证实,此时有很多抢货的「假性需求」出现,他坦承缺货情况出乎他预料。

他分析,因印度、印尼等新兴市场对于手机选购需求,从功能型手机转为低阶智能手机,低阶智能手机在储存存储上皆采用NAND Flash,虽然容量不高,但他们一拿到手就大量拍照,然后上传云端,推升伺服器对NAND芯片需求爆增。

产业链相关企业将持续受益

DRAM和储存型快闪存储(NAND Flash)双涨,法人预估,台厂包括包括南亚科、华邦电和力晶等虽转进利基型DRAM市场,可望同步沾光;创见、威刚、宇瞻、群联等模组厂,营运同现活力,整体族群将迎接全面获利的一年。

存储业者表示,近期DRAM涨势主要由三星主导,且涨势仍未停歇,首季标准型DRAM涨幅逾三成,行动式DRAM约15~20%,伺服器用DRAM涨幅在25~30%。三大应用领域同飙,让主要供应商三星、SK海力士、美光去年营运翻身,股价也大爆发,尤其刚并完华亚科的美光,股价大涨1.3倍,格外受瞩目。

随着DRAM大厂股价飙涨,法人看好近期买盘将转移至南亚科、华邦电、旺宏、力晶等公司;相关存储设计公司,包括爱普、晶豪科和钰创的成长备受瞩目。

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