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内存市场前景旺 未来 5 年年均增长达 7.3%

导读: 内存市场日益扩大,研调机构 IC Insights 最新报告预测,DRAM 与 NAND 闪存等,未来 5 年年均复合增长率(CAGR)可达 7.3%,产值将从去年的 773 亿美元扩增至 1,099 亿美元。

内存市场日益扩大,研调机构 IC Insights 最新报告预测,DRAM 与 NAND 闪存等,未来 5 年年均复合增长率(CAGR)可达 7.3%,产值将从去年的 773 亿美元扩增至 1,099 亿美元。

报告将半导体区分成逻辑、内存,模拟与微组件(microcomponents)IC 等 4 种类型,在 5 年的预测区间内,以内存成长力道最为强劲,模拟 IC 以5.2%次之,微组件为 4.4%,至于台积电擅长代工的逻辑 IC 则仅有 2.9%。

IC Insights 指出智能手机等移动设备对低功耗内存需求激增,是驱动 DRAM 与 NAND 闪存成长的主要动能。除此之外,使用 NAND 闪存的固态硬盘(SSD)在数据中心、笔电的应用也日趋吃重。

三星 6 日公布 2016 年第四季财报,在 Note 7 自燃召回的状况下,营益竟然还能逆势跳增近 80%,就是因为受惠于内存价格大涨,将利润空间拉大。

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