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盘点+分析:Flash原厂2016年财报

导读: 2016年市场NAND Flash持续缺货,据分析,到2016年底NAND Flash每GB价格已回升到2014年底水平,至0.25美元/GB,价格的飞速且大幅上涨不仅对市场造成了巨大影响,想必也有助于Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等营收和利润的增长,但实际上大多数都不如2015年。

2016年市场NAND Flash持续缺货,据分析,到2016年底NAND Flash每GB价格已回升到2014年底水平,至0.25美元/GB,价格的飞速且大幅上涨不仅对市场造成了巨大影响,想必也有助于Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等营收和利润的增长,但实际上大多数都不如2015年。

笔者分析,其重要原因是因为2016年Flash原厂加速向3D NAND切换,除了研发成本增加,切换过程中也很容易出现产能损失,同时还需要更新旧设备,增加新设备,以及扩大生产空间,从而导致Flash原厂NAND Flash产出减少,以及投资成本增加。

三星

2016年三星虽然受Note 7停产和停售影响, Q3营收和净利润较预期减少,但受惠Memory、OLED等半导体芯片需求增长,以及Galaxy S7销量优于预期,累积前三季营收达148.5兆韩元,净利润15.6兆韩元,虽然扭转了连续两年营收和净利润双双下滑的颓势,但较2015年同期几乎零增长。不过,三星制定了2017年营收利润超过30兆韩元的目标。

盘点+分析:Flash原厂2016年财报

注:三星初步预估2016年Q4营收为53兆韩元,营业利润为9.2兆韩元,正式Q4财报将在2017年1月底发布。

三星自2013年成功量产V-NAND,2016年除了西安厂量产V-NAND,在Q2已将Fab 16工厂16nm MLC产线转向48层V-NAND,2016年底V-NAND生产比重已突破35%。2017年三星新工厂Fab 17和Fab 18也都将投入V-NAND生产,3D技术也将向64层提升,预计三星V-NAND生产比重在2017年Q1可达到45%,Q2将达到50%以上,在3D NAND爆发元年将有很大的市场竞争优势。

2016年三星股价涨幅超过60%

盘点+分析:Flash原厂2016年财报

东芝/西部数据(WD SanDisk)

2015年东芝曝出财务造假,影响股价跌幅超过50%。东芝2016年4月-6月营收1.21兆日元,净利润798亿日元,实现了自2015年的财务造假事件之后的首次盈利,7月-9月营收1.372兆日元,净利润355亿日元,可见东芝财务状况已扭亏为盈,股价也基本回到了2015年初的水平。不过,受东芝子公司西屋电气的一项核电业务收购案影响,东芝2016年底股价重挫40%,2017年仍将面临巨大的挑战。

东芝2016年财报数据

盘点+分析:Flash原厂2016年财报

盘点+分析:Flash原厂2016年财报

东芝采用BiCS(Bit Cost Scaling)架构在2016年量产48层3D NAND,单Die容量为256Gb,仅用于自家闪存产品,年底已小量生产64层3D NAND,2017年将主力切换到64层量产。东芝改造的Fab 2工厂已开始小规模投产48层3D NAND,预计2017年将切换至64层量产。东芝计划在未来3年内投资额达8600亿日元,其中包括将在2017年3月开始建设的新工厂Fab 6,2018年Q3开始量产3D NAND,以及更新现有设备等。

另外,西部数据已在2016年5月完成了对闪迪(SanDisk)的收购,并于Q3整合了两家的财务数据。未来西部数据仍在NAND Flash技术与资源上与东芝保持合作关系。

2016年东芝股价走势

盘点+分析:Flash原厂2016年财报

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