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紫光3D储存型快闪记忆体厂武汉动工 总投资超240亿美元

导读: 中国紫光集团宣布,投入快闪记忆体战场,在武汉兴建全球规模最大厂房,总投资金额超过240亿美元,引发产业界震撼。紫光集团董事长赵伟国:“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂,已经正式动工..."

中国紫光集团宣布,投入快闪记忆体战场,在武汉兴建全球规模最大厂房,总投资金额超过240亿美元,引发产业界震撼。

紫光集团董事长赵伟国:“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂,已经正式动工,昨天我刚刚在成都,和四川省签下了两千亿的协议。我们会在那里投资一个,也是一个超过两百亿美金芯片的工厂”

2016年12月,紫光集团赵伟国,布局半导体战略,先是与成都市、新华集团共同签署战略合作协议,要在四川打造百亿云计算中心。

12月30日,紫光宣布动工,兴建三座全球最大3D储存型快闪记忆体(NAND Flash)厂,地点选在武汉东湖高新区,占地1,968亩,投资金额240亿美元,第一期计划2018年建成启用投产,2020年全部完工,月产能将达到30万片,年产值超过100亿美元。

赵伟国:“来满足中国本土市场,和国家战略以及产业发展的需要。”

这项投资计划,引发市场震撼,尤其是投资方面,结合紫光集团、中国国家集成电路大基金,还有地方政府共同出资,可说以国家战略推动,结合市场企业运作的合作模式。

台经院产业顾问 刘佩真:“不过如果就中长期来看,中国在记忆体的一个市场,势必会进行零到壹的突破,势必会打破目前Nand Flash,由韩国日本跟美国业者寡占的一个局面,其实都会带来比较大的竞争压力。”

全球快闪记忆体主要厂商,包括南韩三星、SK海力士,美国旗下英特尔、美光,以及日本东芝,产量各自约占四万片到十万片,近期不约而同喊话加码扩厂,如今紫光也宣布2018年投产下,恐怕引发产能竞赛,市场供过于求。

尤其紫光的下一步,恐怕将跨足DRAM制造,找来高启全担任重要高层干部,预料对半导体业界人才挖角态势,会更加明显。

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