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40nm ReRAM芯片正式出样 中芯国际向上走势头劲

导读: 在经过2016的一系列扩张之后,近日,Crossbar与中芯国际合作的40nm ReRAM芯片正式出样,再次为芯片国产化发展提振士气。另有数据显示,中芯国际去年销售额增至29.2亿美元,比2015年大增31%,市占率提升1个百分点至6%。

在经过2016的一系列扩张之后,近日,Crossbar与中芯国际合作的40nm ReRAM芯片正式出样,再次为芯片国产化发展提振士气。另有数据显示,中芯国际去年销售额增至29.2亿美元,比2015年大增31%,市占率提升1个百分点至6%。中芯国际表现愈发给力,在追赶台积电、GF等一线大厂向上走的道路上势头强劲。

出样40nm ReRAM芯片

近日,Crossbar与中芯国际合作的40nm ReRAM芯片正式出样。据介绍,ReRAM的名字中带RAM,不过ReRAM其实更像NAND闪存那样用作数据存储,只不过它的性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。另外,更先进的28nm ReRAM芯片也将会在2017年上半年问世。

居全球晶圆代工第四名

据IC Insights“2017年McClean报告”预测,2016-2021年晶圆代工市场将以7.6%的年复合增长率(CAGR)增长,从2016年的500亿美元增长到2021年的721亿美元。以下为全球晶圆代工厂最新排名预测:

在前十榜单中,台湾共有四家企业上榜,大陆两家,美国、韩国、以色列、德国各有一家上榜。

2016年,前四大晶圆代工厂台积电、格罗方德、联华电子和中芯国际占全球市场总量的85%。其中,台积电独占全球晶圆代工市场59%的份额,格罗方德、联华电子和中芯国际三家合并市场份额占26%。

目前IC代工厂主要有两类客户,Fabless公司例如Qualcomm、Nvidia、Xilinx、AMD等,和IDM厂商例如ON,ST,TI,Toshiba等。

自1988年以来,IC代工厂的成功主要通过IDM外包的形式促进销售增长。此外,大量新增的中小型IC公司偏爱Fabless的商业模式,包括富士通,IDT,LSI公司,Avago和AMD在过去几年中成长为Fabless厂商。

半导体行业大将蒋尚义加盟

上月21日,中芯国际在港交所公布,台积电前共同营运长、资深研发副总蒋尚义已与公司签订服务合约,出任独立非执行董事职位。中芯指出,依照服务合约,蒋尚义有权获得年度酬金4万美元,以及18.75万可供认购普通股、18.75万受限制股份。

蒋尚义在半导体行业工作40年,在台积电工作期间主要负责技术研发,先后担任过研发副总裁、共同首席营运长及董事长顾问等职,牵头了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等关键节点的研发。在台湾半导体工业界和台积电的威望很高,一度是外界呼声最高、最看好的接班人选,对技术和产业发展有非常深刻的理解。

勇争前三

中芯国际成立于2000年, 2014年底获得中国政府300亿人民币产业基金支持。中芯试图挤入台积电,Intel这几家所把持的半导体市场,然后由于财力和制程技术的不足,技术落后台积电至少2代以上,使其始终难以承担大型的IC设计客户(如高通)的重要订单。

然而,由于受中国反垄断调查的压力,高通在2015年选择与中芯国际合作,帮助后者提升工艺制程,同时将部分芯片订单交给后者。在高通的帮助下,中芯国际的28nm工艺迅速在2015年量产,更在去年成功将工艺改进到28nm HKMG,与联电处于同一水平。

据分析,中芯的28nm制程,占其2016年产能比重未达1%,营收比重则在2%以内,但2017年占营收比重可望明显增加到10%以上。预估2017年中芯28nm产能的80%仍是集中在中低阶应用。

中芯的营收成长率在全球前五大晶圆代工厂中已居第一,由于大陆对芯片自给订定积极目标加上本土需求庞大,预计未来几年中芯仍将维持较高的产能扩张速度。中芯在2016年的投资金额达25亿美元,已超越联电。

中芯未来几年的扩产布局,可谓遍地开花,包括在北京、上海、深圳、宁波以及杭州等地,都有新的12寸晶圆厂投资计划,虽然部分投资案目前仅止于土地取得、尚未装置机台的阶段,但可看出中芯旺盛的企图心。

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