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存储器国产化为何选3D NAND作为突破口?

导读: 随着云计算、大数据、物联网等应用的发展,未来NAND的需求会持续增加,这就意味在可见的未来里,存储产品的需求量的大增,会带来庞大的市场价值。

在上海一场以“匠心独运,卓越创芯”为主题的IC技术峰会上,长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中,他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题,作了深刻的分析。

存储器国产化为何从3D NAND入手?

为什么中国要发展存储产业

在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前,杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法,在全球的半导体存储产品中,NAND 和 DRAM的产值占全球存储总额的95%。

存储器国产化为何从3D NAND入手?

而随着云计算、大数据、物联网等应用的发展,未来NAND的需求会持续增加,这就意味在可见的未来里,存储产品的需求量的大增,会带来庞大的市场价值。

存储器国产化为何从3D NAND入手?

中国作为全球的制造基地,在存储方面的消耗量是惊人的。根据数据统计,中国存储器的消耗量占全球总消耗量的50%以上,但是当中能由国产厂商供应的存储产品则是屈指可数。杨士宁表示,目前全球的存储产品(包括DRAM和Flash)都是由几家厂商承包,这个对于发展自主可控的中国信息技术产业是一个很大的挑战。因此发展国产的存储产业就被提上给了日程。

从另一方面看,存储产业供应的高度集中,缺少强力的竞争对手,尤其是三星电子在DRAM和NAND上面的全球垄断,让很多终端厂商有了顾虑,不少的同行竞争者也是有了其他想法,这就促使具有庞大存储消耗量的中国去发展存储产业。

存储器国产化为何从3D NAND入手?

再加上国家推行集成电路发展纲领,成立国家大基金支持集成电路产业的发展。于是存储就成为了发展的重点。

就这样,以发展国产存储为目的的长江存储顺势成立。

为什么以3D NAND作为突破口

在选定而来聚焦存储方向以后,接下来就要选择合适的产品方向,寻求更好的突破。

杨士宁指出,选择3D NAND作为突破口,是企业需求、外部机遇和市场动力的吻合。这是个技术的问题,更是个经济的问题。

他在演讲中表示,NAND和DRAM都是需要的存储产品,但是考虑到DRAM有两个增加难度:1.竞争对手有大量折旧完的产能,这样的问题也发展在2D NAND上;需求增长相对缓慢,因此长江存储就选择了增量巨大,且全球的厂商正在追逐的3D NAND产品作为突破口。

存储器国产化为何从3D NAND入手?

再加上看一下全球竞争对手的布局,与2D NAND和DRAM不一样,前者是一个高度成熟的市场,且在那个维度没有什么突破,竞争对手的深厚布局,让长江存储没有更多的机会。而3D NAND 相对来说,则是一个很好的机遇。

存储器国产化为何从3D NAND入手?

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