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群雄逐鹿ReRAM 中芯国际出样意义有多大?

导读: 作为中国本土半导体制造的龙头企业,中芯国际(SMIC)的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始,其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天,该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,并称更先进的28nm工艺版很快也会到来。

作为中国本土半导体制造的龙头企业,中芯国际(SMIC)的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始,其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天,该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,并称更先进的28nm工艺版很快也会到来。

群雄逐鹿ReRAM 中芯出样意义有多大?

目前,在ROM存储领域,NAND闪存无疑是绝对的主流,保守点说,3、5年内它都会是电子设备存储芯片的主流选择,但研究人员早就开始探索新一代非易失性存储芯片了,Intel与美光联合研发的3D XPoint,是基于PCM相变存储技术,也被称为是新一代存储芯片,而ReRAM更是颇具代表性的新型非易失性存储器。

ReRAM为何物

虽然ReRAM的名字中带RAM,但其实是像NAND闪存那样用作数据存储的ROM,只不过它的性能更强,据说,其密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍。ReRAM单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

ReRAM基于忆阻器原理,将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说,关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间,一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。

ReRAM的优势

与NAND闪存相比,ReRAM具备诸多优点,具体如下:

速度:ReRAM写速度更快,以纳秒为单位而不是毫秒,这使它更适应于高性能应用。

功率:研究人员已经证明,微安培写入功率并期望很快将进一步降低到纳安范围,这使得ReRAM比NAND闪存能效更高。

耐用性:最常见的MLC闪存只能处理10000次写操作,而ReRAM却可以处理数百万个。

群雄逐鹿ReRAM 中芯出样意义有多大?

ReRAM应如何定位

在可预见的未来,NAND闪存将保留在成本和密度上的优势,这意味着它仍将在未来几十年存活下去。那么ReRAM在存储应用中要如何定位呢?

数据完整性:关键任务应用更喜欢ReRAM,而且关键是买得起;

性能:固态硬盘这种高速存储介质消除了复杂性并提高了性能;

移动性:网络宽带和内存容量之间进行着一场永无止境的拉锯战,在这种情况下,消费者可能会喜欢上他们移动设备的大容量存储。如果是这样, ReRAM节能的优点将在高端产品有所体现。

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