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西数开始生产 64层 512 Gb 3D NAND 闪存芯片

导读: 西部数据(WD)于今日(7 日)宣布其已开始生产业内最密集的 3D NAND 闪存芯片,堆叠达到了 64 层。当然,每单元存数比特位数也从 2 增加到了 3(说白了就是从 MLC 变成了 TLC)。

西部数据(WD)于今日(7 日)宣布其已开始生产业内最密集的 3D NAND 闪存芯片,堆叠达到了 64 层。当然,每单元存数比特位数也从 2 增加到了 3(说白了就是从 MLC 变成了 TLC)。

西数及其合作伙伴东芝将其“垂直 3D 堆叠技术”称作Bit Cost Scaling(简称 BiCS),而西数方面也已开产首批 64 层 512 Gb 的 3D NAND 芯片。

西数开始生产 64层 512 Gb 3D NAND 闪存芯片

(图片来源:东芝)

其生产过程与摩天大楼的建造类似,能够在较小的地面上组合出密集的结构,使得每 Gb 的成本效益更加明显。此外,这项技术还增加了数据可靠性、以及固态存储速度。

3D NAND 让制造商们可以克服 NAND 闪存的物理限制,因为随着晶体管尺寸接近 10nm,其进一步收缩的能力将迅速消散。

西数开始生产 64层 512 Gb 3D NAND 闪存芯片

▲ 西数 BiCS 3D NAND 闪存结构图(64 层堆叠)

最新 3D NAND 闪存已经用到了一片外形如同口香糖般大小、但容量高达 3.3 TB 的固态硬盘(SSD)驱动器上。如果采用 2.5 英寸的外形,其容量更可轻松超过 10 TB 。

西数开始生产 64层 512 Gb 3D NAND 闪存芯片

除了三星和东芝,英特尔和镁光也在生产 3D NAND 产品。

三星是首家宣布量产 3D 闪存芯片的企业(2014 年),其技术被命名为 V-NAND,起初只堆叠了 32 层,但也将存储位元从 MLC 改进到了 TLC。所以其 TLC 产品的容量(128 Gbits / 16 GB)比东芝初代 48 层 NAND 芯片还要高)。

西数开始生产 64层 512 Gb 3D NAND 闪存芯片

西数于 2016 年 7 月首次向公众展示了其 64 层 3D NAND 技术,新芯片已于日本四日市制造工厂开始试产,该公司计划在 2017 年 下半年开始量产。

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