侵权投诉
当前位置:

OFweek电子工程网

其它

正文

进入64层3D NAND Flash?美光2017年规划曝光

导读: 在Micron 2017年度的分析师会议上,这家公司给出一些方向与目标。 没有任何新产品公布,但2017年Micron这家公司的产品规划可能有一个大致方向,同时也包含下一代GPU用存储的规划。

在Micron 2017年度的分析师会议上,这家公司给出一些方向与目标。 没有任何新产品公布,但2017年Micron这家公司的产品规划可能有一个大致方向,同时也包含下一代GPU用存储的规划。

进入64层3D NAND Flash?美光2017年规划曝光

2016年,Micron与Intel的合资企业成为第二家供应3D NAND Flash的公司。当时32层的第一代3D NAND Flash已经在不少产品上导入,现在开始进入64层3D NAND Flash。然而,现阶段64层3D NAND Flash在采样阶段,预计要到2017年才会进入大量生产阶段。

512Gb的64层3D TLC NAND Flash是Micron的重点之一,但Micron也会提供256Gb的3D TLC NAND Flash。

有趣的是,256Gb TLC NAND Flash的尺寸为59mm2,或者是4.3 Gb /mm2;相比于其他竞争品牌的64层3D NAND Flash,面积要小了25%左右。

进入64层3D NAND Flash?美光2017年规划曝光

此外,Micron也在QLC NAND Flash部分有所投入,但他们没有对此揭露太多资讯。

存储部分,主要是GPU用的GDDR6以及制程的推进。

进入64层3D NAND Flash?美光2017年规划曝光

Micron预期会在2017年开始使用16nm(1Xnm)生产GDDR5存储,但确认时间不详,另外1Ynm与1Znm的制程也在进行中,其中1Ynm会率先导入,时间点在2017下半年。 SK Hynix在HBM存储的布局,Micron似乎没有任何回应,但这家公司在GDDR5X与GDDR6有着相当深的投入。

进入64层3D NAND Flash?美光2017年规划曝光

进入64层3D NAND Flash?美光2017年规划曝光

预计我们可以在2017年底或是2018年初见见到Micron在GDDR6领域的讯息。

3D XPoint部分也相当低调,没有任何新资讯或是产品揭露。

声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号