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联芯制程将推进到28nm 力拼强敌中芯

导读: ?半导体市况好热闹,就在台积电透露5nm将在2019年试产之际,联电23日也宣布,自主研发的14nm鳍式场效晶体管制程技术,已成功进入客户芯片量产阶段,良率已达先进制程的业界竞争水平,此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

半导体市况好热闹,就在台积电透露5nm将在2019年试产之际,联电23日也宣布,自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术,已成功进入客户芯片量产阶段,良率已达先进制程的业界竞争水平,此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

联电CEO颜博文表示,这次达成14nm量产的里程碑,象征联电成功携手客户,将先进技术导入市场,同时与其他客户的合作也在顺利进行中,将持续优化此制程,充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所具备的优势,以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

联电14纳米 FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准,速度较28nm增快55%,闸密度则达两倍,此外,功耗亦较28nm减少约50%。 此14nm客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中,未来将因应客户需求,稳步扩充其14nm产能。

联电宣布自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术, 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产,抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。

颜博文强调,14纳米FinFET制程效能竞争力已达业界标准,速度比28 nm增快55%,闸密度达两倍,而且芯片功耗也较28nm减少约50%。

因联电28nm制程良率相当稳定,也是目前市场中端手机芯片和高端网络芯片需求最迫切的制程,预料联电将会把重心集中冲刺联芯将制程推升至28nm,挟大陆制造,挤下强敌中芯,在28nm拉升市占,让联电抢食大陆快速崛起的芯片大饼,打通任督二脉。

联电目前与和舰共持有联芯50%股权,联芯去年11月开幕,导入联电的55nm及40nm制程技术生产。

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