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大陆物联网应用将百花齐放 格罗方德开辟FD-SOI战场

导读: 大陆投资半导体晶圆厂热潮方兴未艾,近期已有多座新的12寸厂设立,包括GlobalFoundries成都厂、紫光在南京及成都盖12寸厂,以及三星加码西安3D NAND晶圆厂等,加上过去两年包括台积电南京厂、联电厦门厂、福建晋华DRAM厂、长江存储武汉厂,以及中芯国际扩充8/12寸厂……

半导体大厂GlobalFoundries将在大陆成都12寸厂投入FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)技术,加上大陆半导体业者亦跃跃欲试,引发业界关注。目前全球主要半导体大厂台积电、英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)仍依循摩尔定律(Moore’s Law),持续往10、7及5纳米的FinFET(Fin Field-Effect Transistor)制程迈进,GlobalFoundries不仅跟著摩尔定律在7纳米世代加入战局,同时要在大陆开辟FD-SOI战场。

大陆投资半导体晶圆厂热潮方兴未艾,近期已有多座新的12寸厂设立,包括GlobalFoundries成都厂、紫光在南京及成都盖12寸厂,以及三星加码西安3D NAND晶圆厂等,加上过去两年包括台积电南京厂、联电厦门厂、福建晋华DRAM厂、长江存储武汉厂,以及中芯国际扩充8/12寸厂,凸显全球半导体大厂都在大陆疯狂盖厂。

大陆新盖的半导体厂无论技术到不到位,业者策略都是先盖厂再说,主要是看好大陆积极提升半导体芯片自制率政策,象是联电抢头香成立厦门12寸厂,台积电亦到大陆盖12寸厂。业界传出台积电把16纳米制程搬到南京12寸厂,获得大陆官方特殊礼遇,未来台积电在全球各地12寸厂生产的16纳米制程芯片,都可纳入大陆自制芯片的比重中,算是极优惠的条件。

近期GlobalFoundries成都12寸厂正式动土,原本GlobalFoundries要在重庆建立12寸生产线,把原本DRAM厂茂德8寸厂改成12寸厂,但最后协议未谈成,转去成都盖12寸厂,GlobalFoundries以实际行动展现掌握大陆这一波芯片自制商机的决心。

GlobalFoundries成都厂初期将先导入成熟的0.18和0.13微米制程,预计2019年第二阶段再导入FD-SOI技术,将技转自德国德勒斯登(Dresden)厂22纳米FD-SOI制程。半导体业者认为,全球所有新盖的12寸厂至少都是从28纳米制程切入,几乎找不到新的12寸厂从0.18微米制程切入,且GlobalFoundries未来将量产FD-SOI技术,而非主流的FinFET先进制程,在策略上相当特别。

事实上,台积电等半导体大厂过去都评估过FD-SOI技术,但最后仍选择正统的FinFET技术前进,而FD-SOI再度受到关注,除了因为低功耗特性外,成本较低亦是关键,适合大陆正要百花齐放的物联网应用,使得GlobalFoundries全新12寸厂重押FD-SOI技术。

近期大陆许多中小型IC设计公司都专注于物联网应用,由于不需要导入16、14纳米或是10、7纳米FinFET制程,既有成熟制程、甚至8寸厂就可以生产,加上FD-SOI技术较便宜,接受度相对较高。

尽管FinFET是主流制程,但未来走到10、7纳米世代后,花得起庞大费用的半导体大厂,恐怕仅剩下苹果(Apple)、高通(Qualcomm)等极少数厂商,使得低成本的FD-SOI在大陆市场有机会突围。目前上海新傲科技(Simgui)已量产8寸SOI晶圆片,其采用法国半导体材料供应商Soitec的Smart Cut技术,双方已签署授权合约。

另外,业界亦传出部分半导体大厂开始考虑FD-SOI技术,上海华力微除了宣示要生产28、14纳米FinFET制程外,亦传出正评估FD-SOI技术,因为以上海华力微在先进制程进度,要力拚14纳米FinFET技术非常紧迫且难度极高,若另曛FD-SOI技术领域,不失为另一种变通策略。

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