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迎需求热潮!三星或追投西安3D NAND厂43亿美元

导读: 三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议,2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资,皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。

据海外媒体报道,传三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。

Chosun Biz日前引述业界消息指出,三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议,2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资,皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。

三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的20%,且现有设备的产量已达理论最大值。设备业者认为,三星西安厂启动3年后的现在,以投入晶圆为基准计算,其3D NAND Flash晶圆月产能为12万片。

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专家推测,西安厂与韩国华城厂L12、L16并列三星NAND Flash三大生产据点,平泽厂将于2017年第1季正式稼动,加上西安厂第二期稼动后,三星势必需调整其产能分配。

半导体业界相关人士认为,三星3D NAND Flash未来生产很可能以大陆西安厂及韩国平泽厂为主,并将其目前最大NAND Flash工厂L12部分产能转为生产系统LSI或DRAM等产品,逐渐降低NAND Flash产量。

DRAMeXchange分析三星产能移转状况,指出L12于2016年第4季晶圆月均产能达19万片高峰后,2017年第1季预估为17万片,第3季以后将减至12万片;三星NAND Flash生产基地将阶段性转移至平泽厂及西安厂。

专家指出,存储器市场2017年起进入前所未有的超级周期(Super Cycle)是促使三星增加设备投资的主因。存储器市场一般以3~4年为周期,交替出现热况与萎缩,超级周期指出现长期热络的状况。

韩国存储器业者表示,过去存储器应用主要限于电脑、智能手机等装置,可直接掌握市场需求变化,随近来包括服务器、汽车、大数据、物联网与人工智能(AI)等领域市场扩大,对NAND Flash需求也进一步提升。

IC Insights预估,2017年存储器市场规模将达853亿美元,较2016年773亿美元成长10.3%,至2021年可望扩大至1099亿美元的规模,年均成长率将达7.3%。

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