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台积电和力旺在12纳米制程上再度合作

导读: 台积电针对16纳米FinFET制程开发进入第四代,统称为12纳米制程技术,力旺开始配合12纳米开发相关的NeoFuse IP,继16纳米精简版FinFET制程后,台积电和力旺在先进制程上再度合作。

台积电针对16纳米FinFET制程开发进入第四代,统称为12纳米制程技术,力旺开始配合12纳米开发相关的NeoFuse IP,继16纳米精简版FinFET制程后,台积电和力旺在先进制程上再度合作。

台积电16纳米制程经历16纳米FinFET、16FF+和16FFC三代技术,拿下苹果(Apple)、联发科、海思、赛灵思及NVIDIA等订单后,即将进入16纳米第四代制程技术,台积电也罕见地改变策略推出改版制程,也就是12纳米制程技术,吸引更多客户投单以提升12吋晶圆厂的产能利用率。

随着台积电进入12纳米制程世代,非挥发性嵌入式eNVM IP供应商力旺也配合台积电的12纳米制程开发NeoFuse IP。力旺指出,12纳米FinFET制程是16纳米FinFET系列的第四代,与前几代相比,12纳米具备更低漏电特性和成本优势,力旺和台积电已经从16纳米FinFET第一代一路配合到最新的第四代制程,在每一代制程平台上都布建NeoFuse IP。

此外,在16纳米精简版FinFET(16FFC)制程上,力旺也完成完成可靠度验证,且已有客户于产品中内嵌NeoFuse IP,并完成设计定案(Tape Out)。

力旺指出,16FFC制程和16纳米强效型FinFET(16FF+)制程相比,具有更符合主流市场需求的成本和低功耗的优势,获得许多终端应用的青睐,包括智能手机、消费性电子、穿戴式装置等,同时,力旺的NeoFuse IP除了广泛地被客户使用在16纳米精简型FinFET制程中,其写入时的耐热度更提升至125度,也使得操作更有弹性,并且可支持更高端的应用。

整体来看,力旺的NeoFuse IP在台积电的16纳米FinFET制程各世代的演进过程中,均率先完成可靠度验证,展现力旺在高端制程技术上的开发能力,以及与台积电的稳固技术伙伴关系。

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