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DRAM涨价成为投资动力 美光联手华亚科求自保

导读: 华亚科并入美光后,本月正式更名为美光台湾分公司桃园厂,美光也计划扩大投资台湾,将在台中建立后段DRAM封测厂,相关投资将在标购达鸿位在后里中科园区的厂房后立即启动。

华亚科并入美光后,本月正式更名为美光台湾分公司桃园厂,美光也计划扩大投资台湾,将在台中建立后段DRAM封测厂,相关投资将在标购达鸿位在后里中科园区的厂房后立即启动。

美光目前主要生产据点在桃园和台中,合并后员工超过6,000人。

位于原华亚科的桃园厂主要以20纳米制程生产DRAM生产重镇,单月产能10万片;台中厂以25纳米为主力,月产能逾8万片,但已进行1x纳米制程开发试产,预定下半年正式生产出货。

美光将以台湾为DRAM主要生产据点,除制造端外,也计划往后段和产品应用和设计进行整合,今年计划再投入20亿美元(约逾新台币610亿元),兴建先进的3D DRAM封测厂及研发中心,估计会再招募1,000位工程师和研发人员。

DRAM涨价成为投资动力

来自台湾经济日报的消息,金士顿董事长陈建华在出席群联公司竹南三厂上梁典礼时,针对DRAM市场作出了最新分析。他强调目前主要的DRAM大厂都没有增产计划,而且产能转向3D NAND闪存,导致DRAM内存短缺。

除了DRAM供需失衡之外,PCB印刷材料也缺货了,导致内存模组供应受到牵连,DRAM供货问题更加严重。

金士顿并没有预测DRAM内存具体涨幅,不过集邦网年初有报告称标准型DDR内存涨价幅度约为30%,服务器内存涨价25-30%,移动内存涨幅约为15-20%。

这一波涨价的主要推手是三星,目前三星70%的产能已经被苹果、三星自己以及大陆的OPPO、Vivo公司包下,能供应给其他公司的产能有限,三星还把产能转向3D NAND闪存。其他DRAM公司虽然也跟进升级,但制程良率都没有三星顺利,使得三星有能力主导价格提升,弥补Note 7爆炸导致的巨额损失。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,由于DRAM供给端的寡占型态已经成熟,且制程在转进20纳米后,位元成长有限,观察三大厂商短期内没有新增产能的计画,新制程转进进度也有放缓的趋势,预估供货将持续吃紧。

以需求端而言,2017年不论是个人电脑、伺服器或智慧型手机端,需求位元成长主要还是来自单机搭载存储容量需求的提升。以智慧型手机为例,由于LPDDR4正式成为市场供货主流,中高阶智慧型手机的行动式存储搭载逐渐以4GB为「标准配备」,甚至8GB机种也有望问世,将持续带动需求攀升。

美光面临生存危机

动态随机存取存储(DRAM)市场的“贫富差距”愈形明显,产业结构可能掀起巨变。上半年陷入亏损的全球第三大DRAM制造商美光(Micron)将面临艰难的生存战。

过去三、四年来,DRAM市场主要由三星电子、SK海力士与美光所垄断,三巨头在全球的合并市占率达90%,但情势可能改变。在DRAM市场景气不佳的局面下,市场龙头三星电子的营业利益仍达数十兆韩元,排行第三的美光则开始亏损。随着另外几家中国业者准备加入战场,DRAM产业结构可能迎来巨变。

DRAM大厂今年上半年的表现南辕北辙。三星半导体部门营业利益高达5.27兆韩元(47.3亿美元),即使主力DRAM产品价格下滑仍持续获利。DRAM二哥SK海力士的营业利益较去年同期锐减三分之二至1.02兆韩元,季度获利仍然创下纪录。同期美光则转盈为亏,亏损3,200万美元(356.2亿韩元)。

之所以有此差异,在于各家业者制程技术有别。三星电子的技术最先进,现已开始量产18纳米的DRAM芯片,SK海力士去年正式导入21纳米制程,美光则握有20纳米制程技术。电路线宽愈细,元件就愈精密,产量也能提高。技术愈先进就愈能降低生产成本、提高获利能力。半导体业界消息来源指出,DRAM价格持续下跌之际,企业体质的健全程度就此展现。这意味着以DRAM目前的价格,美光不具备获利的竞争力。

美光去年七月裁减美国科罗拉多厂的70名员工,展开首波整顿行动,共计将裁撤2,400名员工,占整体人力规模的7.5%。

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