侵权投诉
当前位置:

OFweek电子工程网

功率设计

正文

站在SiC成熟期“元年” 解读各国的战略部署

导读: 以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料是全球战略竞争新的制高点。美、日、欧等各国积极进行战略部署,第三代半导体材料引发全球瞩目,并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点。作为电力电子器件,SiC器件在低压领域如高端的白色家电、电动汽车等由于成本因素,逐渐失去了竞争力。

以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料是全球战略竞争新的制高点。美、日、欧等各国积极进行战略部署,第三代半导体材料引发全球瞩目,并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点。作为电力电子器件,SiC器件在低压领域如高端的白色家电、电动汽车等由于成本因素,逐渐失去了竞争力。但在高压领域,如高速列车、风力发电以及智能电网等,SiC具有不可替代性的优势。

站在SiC成熟期“元年” 解读各国的战略部署

站在SiC成熟期“元年” 解读各国的战略部署

SiC材料与电力电子器件的发展 (数据来源:赛迪智库整理)

赛迪智库在充分研究了SiC材料和电力电子器件的发展历程之后认为,从2016年开始SiC已经进入成熟期。站在成熟期的“元年”,去研究各国在政策和产业的动向,对分析SiC产业的在我国的后续发展有着重要意义。

美国等发达国家为了抢占第三代半导体技术的战略制高点,通过国家级创新中心、协同创新中心、联合研发等形式,将企业、高校、研究机构及相关政府部门等有机地联合在一起,实现第三代半导体技术的加速进步,引领、加速并抢占全球第三代半导体市场。美国等发达国家2016年第三代半导体材料相关部分政策措施:

站在SiC成熟期“元年” 解读各国的战略部署

资料来源:CASA整理

1  2  下一页>  
声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号