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面临敌手英特尔/三星 高通能否保住基频芯片市场地位?

导读: 在几乎垄断4G LTE与3G EV-DO基频芯片市场的大厂高通,过去所采用的IP授权手段,以限制其他竞争对手介入市场的手法,目前已开始遭到包括苹果等厂商的反弹后,这也使得竞争对手英特尔与三星,陆续推出新的芯片。这对近来面临诉讼困境的高通而言,又可能要造成更大的冲击。

根据国外媒体TheStreet报导,在几乎垄断4G LTE与3G EV-DO基频芯片市场的大厂高通(Qualcomm),过去所采用的IP授权手段,以限制其他竞争对手介入市场的手法,目前已开始遭到包括苹果(Apple)等厂商的反弹后,这也使得竞争对手英特尔与三星,陆续推出新的芯片。这对近来面临诉讼困境的高通而言,又可能要造成更大的冲击。

报导指出,英特尔日前宣布推出名为XMM 7560的2G/3G/4G基频芯片,可支持最大1Gbps下载与225 Mbps上传速度。XMM 7560采用英特尔14纳米制程,比起前一代采28纳米制程的XMM 7480,以及部分iPhone 7/7 Plus所使用的XMM 7360更加先进。除了最大下载速度外,在XMM 7560的多重载波聚合性能上也有大幅的提升。

XMM 7560是第一个可支持3G EV-DO网路的英特尔基频芯片。目前,包括Verizon、Sprint、中国电信等多家电信厂商都仍在使用3G EV-DO网路。由此看来,XMM7560很有机会协助英特尔,从高通手中抢下更多苹果iPhone智能手机市场。

市场分析机构预测,如果苹果降低对高通芯片的依赖,进而全面采用英特尔芯片,那么高通将可能损失10到14亿美元的年营收。而基频芯片平均价格较低的英特尔,则有机会取得800万至1 1亿美元的年营收成长。

另外,三星即将推出的Exynos 8895移动芯片,内建8核心,并支持1Gbps的最大下载速度。由于Exynos 889 5与高通旗舰移动芯片Snapdragon 835一样,都采用三星的10纳米制程,使得Exynos 8895的多重载波聚合效能,也比前一代Exynos 8890有所提升。

根据市场消息,包括Snapdragon 835与Exynos 8895都预计将使用于三星Galaxy S8旗舰级智能手机上。因此,高通在Snapdragon 835的代工上之所以选择三星,而非以往由台积电来代为生产,就可能是因为与三星协商后,希望能搭上三星的Galaxy S8旗舰级智能手机的结果。然而,三星在Exynos 8895的4G信息技术进步,也对高通造成了不小的威胁。这使得三星最终可能会减少高通芯片的使用,或以此做为议价的筹码。

至于,高通本身所最新发布的Snapdragon X20基频芯片,则是拥有1.2Gbps最大下载速度,以及5x多重载波聚合的效能。只是,Snapdragon X20最快要等到2018年上半年才会开始出货。因此,将没有机会使用在2017年推出的苹果或三星旗舰手机上。

事实上,高通基频芯片部门在2016年第四季的出货量,已较前1年少了10%,并可能在2017年第一季再下跌2%至13%的比率。加上苹果与英特尔的结盟、智能手机市场成长减缓,以及联发科、展讯等亚洲芯片厂商的竞争,都对高通数据芯片部门造成不小压力。

因此,除了功耗、尺寸上较Snapdragon 820进步外,新款Snapdragon 835也瞄准了无人机、VR/AR头盔、笔记本电脑等应用,因此,Snapdragon 835被看好能带动高通整体在2017年的发展。此外,高通还投入470亿美元买下恩智浦半导体(NXP),介入车用电子市场的领域,此举或许能减少高通对移动芯片业务的依赖。而英特尔打算缩减移动部门的研发预算,也给了高通稍有喘息的空间。如此,未来高通能否接其他领域的发展,继续保持于基频芯片市场的地位,则有待进一步观察。

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