海思、联发科应抓住台积电推出12nm工艺的机会

2017-03-20 09:09

来源：一点号/柏铭科技

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导读： 台积电当下的10nm工艺苦陷良率较低的难题，导致联发科的helio X30未能如期上市，在这个当口其推出了16nm FinFET的改进版12nm FinFET工艺，这应该是华为海思和联发科的更好选择。

OFweek电子工程网讯台积电当下的10nm工艺苦陷良率较低的难题，导致联发科的helio X30未能如期上市，在这个当口其推出了16nm FinFET的改进版12nm FinFET工艺，这应该是华为海思和联发科的更好选择。

海思、联发科应抓住台积电推出12nm工艺的机会

台积电目前依然在对10nm工艺进行改进，并用于生产苹果的A10X处理器，到了三季度该工艺又将用于生产苹果的A11处理器，在这样的情况下其10nm工艺的产能紧张状况将至少延续到今年三季度，而且由于其向来优先照顾苹果的传统能分给华为海思和联发科的产能必然会相当有限。

台积电的12nm FinFET在当前的16nm FinFET工艺上改进而来，拥有更高的晶体管密度和更低的功耗，在当前10nm工艺良率低下的情况下，12nm FinFET工艺可以帮助它吸引客户。

华为海思将在今年10月-11月之间发布新款的高端芯片，估计命名为麒麟970，如果其选择台积电的10nm工艺的话由于台积电的10nm工艺产能紧张就有可能重演2015年的麒麟950延迟量产的覆辙，在这样的情况下选择台积电的12nm工艺将是不错的选择。

去年华为海思就选择了稳妥的办法，采用台积电成熟的16nm FinFET工艺生产其新款高端芯片麒麟960，按计划推出了这款芯片。联发科则希望率先采用台积电的10nm工艺，通过采用更先进的工艺获得更低的功耗和更高的性能以与高通竞争，结果就是当下的尴尬局面，受制于台积电的10nm量产进程和良率问题helio X30迟迟未能上市，联发科的另一款芯片P35同样因台积电的10nm工艺量产影响，让中国手机企业失去了耐心，纷纷放弃采用其芯片。

在helio X30和P35失去了中国手机企业支持的情况下，联发科推新款芯片就势在必行，但是在台积电的10nm工艺产能紧张的情况下，采用12nm FinFET工艺可以确保其新款芯片的上市。

另一个是12nm FinFET工艺是在16nm FinFET上改进而来，工艺更成熟，良率高，成本自然更低，联发科的毛利已创下新低；华为海思的芯片主要是自家使用，规模较小，同样需要控制成本，在这样的情况下采用成本较10nm工艺更低的12nm对它们来说也是十分合适的。

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