侵权投诉
当前位置:

OFweek电子工程网

缓冲/存储技术

正文

长江存储3D闪存各项指标已达预期 2019年全速量产

导读: 紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。

NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断,中国公司在此领域毫无话语权,甚至连收购、合作外资公司都没可能,想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。

长江存储科技前身是武汉新芯公司,该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,随后该公司被紫光公司收购,变成了长江存储科技(英文简称为TMTC),武汉投资项目一期工程就是生产3D NAND闪存。

国产3D NAND闪存的起点还不算低,目前研究的是32层堆栈的3D NAND闪存,前不久长江存储CEO杨士宁宣称国产3D闪存各项指标已经达到了预期要求。该款存储器芯片由长江存储与(中科院)微电子所三维存储器研发中心联合开发,在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下,成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证,向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

3D NAND完成实验室研发只是一小步,后续的大规模量产才是关键。Digitimes报道称长江存储科技CEO杨士宁表示3D闪存工厂的生产装备将在2018年Q1季度完成安装,2019年则会完全量产。该公司的目标是在2020年时技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平。

杨士宁表示了NAND闪存市场需求正在被云计算、智能终端所推动,同时中国市场也具有极大的发展潜力。

不论是DRAM内存还是NAND闪存市场,目前都被极少数厂商所统治,杨士宁表示长江存储科技希望打破少数公司对市场的垄断,该公司进入市场将为业界带来良性竞争。

中国市场消耗了全球55%的存储芯片产能,杨士宁称在强大的市场需求及中国政府的财政支持下,长江存储科技公司将增强对现有几家存储芯片公司的竞争力。

要想获得长久的成功,拥有自己的核心是技术也是非常关键的,长江存储科技公司目前就在这么做。杨士宁称收购或者战略投资也是该公司实现增长的另一个选择。

声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

X
文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: