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三星制定DRAM发展蓝图 15纳米是制程微缩极限

导读: 三星电子为了巩固存储器霸业,制定 DRAM 发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15 纳米可能是 DRAM 制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。

三星电子为了巩固存储器霸业,制定 DRAM 发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15 纳米可能是 DRAM 制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。

韩媒 etnews 18 日报导,业界消息称,三星去年开始量产 18 纳米 DRAM,目前正研发 17 纳米 DRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立 16 纳米 DRAM 开发小组,目标最快 2020 年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020 年量产时间可能延后。

三星从 20 纳米制程(28→25→20),转进 10 纳米制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立 15 纳米制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。

三星设备解决方案部门的半导体实验室人员 Jung Eun-seung 说,为了继续缩小线宽,必须开发与当前不同的新材质,并提高制程稳定性,以便进入量产。业界人士估计,15 纳米或许是制程微缩的极限,未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距,并担忧中国业者急起直追,赶上三星。

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