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凌力尔特宽输入范围、No RSENSE电流模式升压控制器

导读: 亚德诺半导体旗下凌力尔特公司宣布推出宽输入范围、电流模式、升压、反激式或SEPIC控制器LTC1871X,该器件驱动N沟道功率MOSFET,需要极少的外部组件。

加利福尼亚州米尔皮塔斯和马萨诸塞州诺伍德,2017年4月20日——亚德诺半导体 (Analog Devices,Inc.,简称ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation)宣布推出宽输入范围、电流模式、升压、反激式或SEPIC控制器LTC1871X,该器件驱动N沟道功率MOSFET,需要极少的外部组件。LTC1871X适用于低至中功率应用,通过利用功率MOSFET的导通电阻,而无需电流检测电阻器,因此最大限度提高了效率。LTC1871X的设计为高达175°C的高温环境进行了优化。

其2.5V至36V输入电压范围非常适合高温应用,例如电源范围为3V至36V的石油勘探钻井设备。LTC1871X的电气参数在高达175°C时100%经过测试,在–40°C至175°C的整个温度范围内提供±2%的VREF准确度。LTC1871X可灵活地用于升压、SEPIC或反激式拓扑,非常适合井下钻孔应用中常见的多种电池供电应用。LTC1871X的突发模式(Burst Mode)运行提供低静态电流,很适合需要延长电池运行寿命的应用。专门的Cu/Ni/Au接合焊盘镀层确保在高温环境中实现长寿命,同时纤巧的MSOP-10封装提供了占板面积高度紧凑的解决方案。

LTC1871XMS采用MSOP-10封装,千片批购价为每片125.00美元,有现货供应。

凌力尔特宽输入范围、No RSENSE电流模式升压控制器

照片说明:宽输入范围、No RSENSE电流模式升压、反激式和SEPIC控制器可在温度高达175°C工作

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