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存储“芯”动态:美光扩产广岛DRAM厂 三星拟扩充西安NAND Flash产能

导读: 多数手机以不同存储规格来区别高配版、标准版,而不同版本之间的差价可达到几百元,这让我们看到了作为四大通用芯片之一的存储器的重要性。

多数手机以不同存储规格来区别高配版、标准版,而不同版本之间的差价可达到几百元,这让我们看到了作为四大通用芯片之一的存储器的重要性。

存储“芯”动态:美光扩产广岛DRAM厂 三星扩充西安NAND Flash产能

半导体存储器是一个高度垄断的市场,其三大主流产品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前两者,全球市场基本被前三大公司占据,且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例,2016年第一季度,DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据,而NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。

美光计划斥资20亿美元 扩产广岛DRAM厂

据日经新闻报导,美光科技计划未两至三年斥资20亿美元,在位于日本广岛的工厂量产主要应用在智能手机、数据中心和自驾车的新世代动态随机存取存储器(DRAM)。

报导指出,美光已在这座厂房内增设无尘室,并准备研发13纳米芯片的制程技术。该公司已买下多台订价数十亿日元的尖端芯片制造设备进行研发,预料在DRAM芯片开始量产后,还会添购更多设备。这座工厂原属于尔必达(Elpida),2013年随着尔必达一起并入美光旗下。

目前在全球DRAM制造商居第三的美光正加紧研发,以赶上业界龙头韩国三星电子的脚步。和美光目前采用的16纳米制程技术相比,13纳米芯片装配在单一晶圆上的数量更多,生产效益预料可提升逾20%。

90亿美元!三星拟扩充西安NAND Flash产能

三星电子5月29日表示,正考虑在中国西安的生产基地扩充存储芯片产能。因应相关产业对存储芯片的需求。

三星电子发言人证实,三星电子考虑扩充西安厂的产能,但未提供其他细节。三星电子已对西安厂投资70亿美元,生产3D NAND存储芯片。这种芯片用于高端信息储存产品,像是智能手机、个人电脑和服务器。

韩国媒体早先报导,三星电子正和中国官方洽谈,将扩充西安厂产能,投资额高达10万亿韩元(89.3亿美元),预定今年底前动工。2019年开始营运。

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