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传三星缺乏10nm以下封测技术 拟将次世代Exynos芯片后端制程外包

导读: 芯片制成微缩至 10 纳米以下,据传三星电子缺乏相关封测技术,考虑把次世代 Exynos 芯片的后端制程外包。若真是如此,将提高三星晶圆代工成本。

传三星缺乏10nm以下封测技术 拟将次世代Exynos芯片后端制程外包

芯片制成微缩至 10 纳米以下,据传三星电子缺乏相关封测技术,考虑把次世代 Exynos 芯片的后端制程外包。若真是如此,将提高三星晶圆代工成本。

韩媒 etnews 8 日报导,业界消息透露,最近三星系统 LSI 部门找上美国和中国的 OSAT(委外半导体封装测试业者),请他们开发 7、8 纳米的封装技术。据传美厂手上高通订单忙不完,未立即回覆。陆厂则表达了接单意愿。

倘若三星真的把封测制程外包,将是该公司开始生产 Exynos 芯片以来首例。三星仍在考虑要自行研发或外包,预料在本月或下个月做出最后决定。

10 纳米以下的芯片封装不能采取传统的加热回焊(reflow),必须改用热压法(thermo compression),三星没有热压法封装的经验,也缺乏设备,外包厂则有相关技术。有鉴于 10 纳米以下芯片生产在即,迫于时间压力,可能会选择外包。相关人士表示,要是三星决定外包,会提高生产成本,不利三星。

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