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中国半导体影响力渐强 韩厂有压力

导读: 存储报价水涨船高,三星电子(Samsung Electronics)半导体部门和SK海力士(SK Hynix)上半年大赚一票。最新数据显示,韩国五月份半导体出口创历史新高。

存储报价水涨船高,三星电子(Samsung Electronics)半导体部门和SK海力士(SK Hynix)上半年大赚一票。最新数据显示,韩国五月份半导体出口创历史新高。

根据韩国工商业能源部(MOCIE)公布数据,五月份半导体出口额来到76亿美元,较去年同期跳增56%,主要归功于DRAM与系统半导体出口强劲。

从半导体设备出货数据判断,韩国或许已超越台湾成为全球最大半导体制造地。国际半导体产业协会(SEMI)数据显示,韩国今年第一季半导体设备采购额来到35.3亿美元,较去年同期暴增110%,同时间中国台湾成长84%至34.8亿美元。

中国大陆第一季半导体体设备采购额来到20.1亿美元,全球排名第三,但与去年第四季做比较,季增率达74%,位居是全球之首。北美、日本同期间分别成长3%与19%,欧洲则是下滑1%。

整体来看,全球首季半导体设备出货来到历史新高的131亿美元,较前季成长14%、较去年同期成长58%。但韩媒警告,当前的繁荣景象恐怕只是暂时性的,来自中国的隐忧,恐让韩国半导体业大受打击。

南韩媒体Business Korea日前报导,UBS Securities今(2017)年2月就曾出言示警,声称中国IT业者大举建立库存,是半导体报价去年大涨的主因,下半年DRAM、NAND型快闪存储恐将严重过剩。

仔细分析中国国家统计局的资料就可发现,在2015年1-8月期间,中国的半导体库存从人民币2,775亿元一路上冲至历史高3,330亿元,随后在2016年1月下滑至2,784亿美元,直到2017年4月才反弹至3,305亿元。然而,最近中国的半导体库存年增率只有个位数、甚至负成长,远不如2015年的20-50%成长率。也就是说,目前中国IT企业并未大举建立库存。业界消息显示,部分陆企今年第一季开始减产、零组件订单的缩减幅度也比往年还要高。

不只如此,DRAM、NAND型快闪存储下半年的供应量势将跳增,供需日益失衡。三星位于平泽市的新厂预定7月投产,SK海力士在利川的M14厂房则已开始扩充产能。美光(Micron Technology)也在拉高DRAM、NAND型快闪存储的产量,英特尔(Intel Corp.)则计划在下半年生产NAND型快闪存储。另外,紫光集团等中国半导体业者,也预定会在明年增添供给量。

先前就有报导直指,三星电子率先量产18纳米DRAM,把同业抛在脑后。竞争对手美光和SK海力士则不甘示弱,纷纷砸钱要追上三星。

Nikkei Asian Review、BusinessKorea报导,三星是DRAM龙头,制程领先对手1~2年,2016年下半首先量产18纳米DRAM,计画今年下半推进至15纳米。IHS Markit估计,今年底为止,三星打算把18纳米DRAM的生产比重,提高至30%。业界人士说,三星会以利润优先,不会扩产抢市,打乱价格。

三星一马当先,DRAM第三大厂美光拼命追赶,计画未来两三年砸下20亿美元,研发13纳米DRAM制程。美光在日本广岛厂增设无尘室设备,并购买了多项高价生产仪器。进入13纳米制程之后,同一片晶圆能分割成更多芯片,生产力将提高20%。美光已于今年第一季量产18纳米DRAM。

与此同时,SK海力士也准备在今年下半量产电脑用的18纳米DRAM,接着再投入行动装置用的18纳米DRAM。SK海力士会优先提高21纳米制程良率,之后转进20纳米、再转向18纳米。SK海力士人员透露,该公司正在研发1y DRAM制程,但是还不确定量产时间。

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