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DRAM涨潮再起 谁才是真正赢家?

导读: 在DRAM供货吃紧的情况下,其再次出现价格疯涨现象。据业者估计,2017年DRAM整体价格涨幅将高达39%,在智能手机存储器容量提升以及服务器需求的驱动下,明年将出现持续增长现象。

OFweek电子工程网讯 在DRAM供货吃紧的情况下,其再次出现价格疯涨现象。据业者估计,2017年DRAM整体价格涨幅将高达39%,在智能手机存储器容量提升以及服务器需求的驱动下,明年将出现持续增长现象。

据市场调查数据显示,2016年第四季度DRAM供不应求,带动2017年第一季度上涨30%以上。以DRAM市场整体走向来看,今年第三季度平均涨幅约7%,未来第四季度涨幅约5%-10%,虽然涨幅依旧,但是至2018年,涨幅会逐渐趋于平稳,相比2017年,涨幅不会太大。

DRAM连续一年涨幅的主要原因为以下几点,其一,近年来,小米、华为以及OPPO等国产手机开始走中高端路线。其二,数据中心的服务器对于DRAM需求加强。其三,DRAM产业制程接近极限,技术研发难度增加,导致供货短缺。

至于NAND Flash走势情况,据业者分析,在今年第四季度苹果需求的冲击下,其缺口会逐渐扩大,但是除苹果外,其余手机厂商对于NAND Flash并没有需求,所以其整体相对于第三季度会处于平衡状态。明年第一季度为传统淡季,整体价格可能会不升反降。

在芯片市场的冲击下,三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头直接霸占了90%以上的市场份额,强势控制价格增长的比率。至于国内外其余芯片企业,则“分羹”较少,处于紧追猛赶的状态,但整体来看,国内外市场短期内也是呈现欣欣向荣之景。

三星的布局

在经历Galaxy Note 7手机爆炸的影响后,三星对于产品质量以及生产过程有了严格的把控,借助于DRAM市场涨势,三星渐渐“恢复元气”。作为全球最大的DRAM芯片制造商,三星无疑是这场涨势中最大的受益者,据第二季业绩展望报告显示,其营业利润再创新高,同比增长约72%,预计未来第三季度将持续增长。

据了解,苹果、OPPO、三星以及Vivo已经承包了三星DRAM近70%的产量,而三星由于3D NAND Flash制程良率以及相关印刷电路板材料短缺的问题,使得DRAM供应短缺更加严重。

对于新技术研发方面,三星似乎早有布局。据消息称,三星目前正在研发17nmDRAM,预计明年将进入量产阶段。同时,三星也展开了16nmDRAM的研发,不过最快量产时间也将在2020年,毕竟随着制程技术提升,后面的研发难度会越来越大。而且三星预测15nm将接近DRAM的物理极限,未来将很长时间开发新材质,提升制程稳定性以便于缩小线宽。

以目前市场来看,Galaxy Note 8的预定量再创历史新高,而且iPhone X所搭载的OLED屏幕均来自于三星,故三星第三季度的营收数据肯定不会太差,据消息透漏,三星将于月底公布营收的详细结果。

美光建设新厂 研发全新技术

此前,美光科技DRAM大厂台湾桃园厂区由于氮气泄露的原因,造成5000至1万片的晶圆直接报废,4万片晶圆则被视为次级品或者报废品。好在公司迅速解决并恢复正常生产运作,对于其之后的产能并没有太大的影响。

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