三星半导体资本支出超过英特尔和台积电的总和达到260亿美元

2017-11-16 00:43

来源：与非网

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导读： 预计三星今年的资本支出将达到260亿美元，超过英特尔和台积电的总和。

预计三星今年的资本支出将达到260亿美元，超过英特尔和台积电的总和。

ICInsights已经修改了半导体行业的资本支出预估，本月底将会发布新的报告。ICInsights最新的预测显示，今年半导体行业资本支出增长35％，达到908亿美元。

去年，三星在半导体行业的资本支出为113亿美元，预计2017年该业务支出将翻一番达到260亿美元。ICInsights总裁BillMcClean表示：“在我关注半导体行业的37年里，从没见过今年如此猛烈的半导体资本支出增长势头。今年三星在半导体行业的巨额开支是史无前例的。”

图1显示了自2010年以来三星半导体业务的资本投入情况，这一年也是该公司第一次在半导体资本支出上超过100亿美元。在2016年投入113亿美元之后，预计今年的资本支出激增比例让人惊讶。

三星的开支计划到底有多么凶猛？ICInsights预计，三星2017年第四季度的半导体资本支出为86亿美元，将占到整个半导体行业的33％（整个行业第四季度支出预计达到262亿美元）。同时，三星在第四季度的半导体销售额占整个行业的16％左右。

ICInsight预估的三星今年260亿美元半导体资本支出分为以下几个部分：

3DNANDflash：140亿美元（包括在平泽工厂的产能大幅增长）

DRAM：70亿美元（为了弥补因迁移而造成的产能损失）

代工／其他：50亿美元（用于提升10纳米制程能力）

三星半导体资本支出的“疯狂”，中国存储器企业心凉一大截

ICInsights认为，今年三星的巨额支出将对未来产生很大影响，3DNAND闪存市场可能会出现产能过剩情况，这种产能过剩一方面是因为三星在3DNAND闪存市场的巨额投资，另一方面如SK海力士、美光、东芝、英特尔等公司对这一细分市场的投资激增导致。从某种程度上来说，三星的竞争对手必须提高产能否则将失去部分市场份额。

三星的投资热预计也成为中国3DNAND闪存或DRAM相关企业的噩梦，此前ICInsights一直对中国初创企业对抗诸如三星、SK海力士、美光的3DNAND和DRAM技术持怀疑态度。如今三星在资本支出上的疯狂成了自己市场地位的保证，如果中国企业不能和现有的大型存储进行合作，那么未来很难有更强的竞争力。

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