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中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

导读: 随着全球信息化浪潮的不断涌起,智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下,其上游存储器芯片产业再遇爆发期,作为生产、消费大国的中国,自然首当其冲,成为存储器芯片大战的主战场。

随着全球信息化浪潮的不断涌起,智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下,其上游存储器芯片产业再遇爆发期,作为生产、消费大国的中国,自然首当其冲,成为存储器芯片大战的主战场。在中国存储器芯片市场风云迭起的同时,“搅局者”的出现正缓缓改变着战场的局势……

美日韩的垄断之势

在全球半导体市场日益扩张的趋势下,芯片市场供不应求之势越发明显,这其中又以存储器市场为最。据统计,2016全球存储器市场容量约800亿美元左右,约占半导体市场的23%,是仅次于逻辑电路的第二大产品。

以目前市场来看,存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类。其中2016年DARM市场容量约414亿美元,NAND Flash约346亿美元。在DRAM方面,全球DRAM价格持续七个季度高涨,是历来涨势最久的一次,据业界人士预测,此涨势将持续至2018年第二季度。在NAND Flash方面,全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象,且3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多,至此闪存市场供应得到缓解。

中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

而在供应短缺以及高增长的背后,垄断之势也越发明显。据数据调查显示,仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝半导体等五家美日韩半导体企业,几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。

以三星电子为例,据业界人士预估,在三星今年260亿美元半导体资金中,3D NAND Flash约为140亿美元,DRAM约为70亿美元。面对如此“诱人”的存储器市场,三星电子完全无法忍住诱惑。据消息透漏,三星电子计划于2018年将DRAM价格上调5%左右,并且会加大3D NAND Flash技术研发的投入。而且,随着智能手机、人工智能以及物联网需求的增加,3D NAND Flash将得到长足发展。在这种趋势下,中国也开始了布局。

紫光国际“搅局” 破势而出

事实上,在全球存储器市场需求的不断驱动下,中国存储器市场的起色也很明显。为了打破美日韩企业的垄断之势,中国芯片企业并未放弃对半导体的研究。而且随着半导体制程技术的不断衍进,存储器芯片研发难度随之加大,加之3D NAND技术的出现,都为国产存储器厂商弯道超车提供了机会。

中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

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