侵权投诉
当前位置:

OFweek电子工程网

MCU/控制技术

正文

三星布局5nm、4nm、3nm工艺:直逼物理极限

导读: 在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上,三星更是宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限!

这两年,三星电子、台积电在半导体工艺上一路狂奔,虽然有技术之争但把曾经的领导者Intel远远甩在身后已经是不争的事实。

在美国举行的三星工艺论坛SFF 2018 USA之上,三星更是宣布将连续进军5nm、4nm、3nm工艺,直逼物理极限!

blob.png

7LPP (7nm Low Power Plus)

三星将在7LPP工艺上首次应用EUV极紫外光刻技术,预计今年下半年投产。关键IP正在研发中,明年上半年完成。

5LPE (5nm Low Power Early)

在7LPP工艺的基础上继续创新改进,可进一步缩小芯片核心面积,带来超低功耗。

4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)

最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体晶体管技术,结合此前5LPE工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus

Gate-All-Around就是环绕栅极,相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计,将重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。

三星的GAA技术叫做MBCFET(多桥通道场效应管),正在使用纳米层设备开发之中。

大家可能以为三星的工艺主要用来生产移动处理器等低功耗设备,但其实在高性能领域,三星也准备了杀手锏,大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习,7LPP和后续工艺都能提供服务,并有一整套平台解决方案。

比如高速的100Gbps SerDes(串行转换解串器),三星就设计了2.5D/3D异构封装技术。

而针对5G、车联网领域的低功耗微控制器MCU)、下代联网设备,三星也将提供全套完整的交钥匙平台方案,从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君选择。

同时,三星在补充发言中提到,“Key IP”将在 2019 年上半年实现交付,这就意味着某个客户的处理器芯片已经向三星下订单了,明年就能交付。

声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码: