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功率设计

石墨烯电池空间广阔 产业化曙光初现

有媒体报道,总部位于布里斯班的能源技术公司LWPTechnologiesLimited日前宣布将投资于具有开创意义的铝-石墨烯合成与电池制造技术,收购三项“准专利”,准备推动新技术的营销、专利授权与商业化。

功率设计 | 2016-06-16 08:48 评论

三菱电机确认出席PCIM亚洲展2016

2016年6月28日至6月30日,三菱电机半导体大中国区将携带8款新型功率模块,亮相在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2016。

功率设计 | 2016-06-13 15:02 评论

4G通讯时代 砷化镓PA厂商的发展态势分析

智能手机是近年成长速度最快的3C产品,在规格上推陈出新的同时,也导致智能手机产品生命周期仅2~3年,持续的换机潮让智能手机零组件维持一定需求。

功率设计 | 2016-06-12 08:55 评论

变压器的异常现象及其原因

“吱吱”声。当分接开关调压之后,响声加重,以双臂电桥测试其直流电阻值,均超过出厂原始数据的2%,属接触不良,系触头有污垢而引起的。

功率设计 | 2016-06-08 11:02 评论

模拟电路的三个掌握层次和Top20电路图

对模拟电路的掌握分为三个层次。初级层次是熟练记住这二十个电路,中级层次是能分析这二十个电路中的关键元器件的作用,高级层次是能定量计算这二十个电路。

功率设计 | 2016-06-02 09:57 评论

电子入门基础知识之各种电容器的识别

图1是胆电容。图2是灯具电容器。图3是MKPH电容。图4是MET电容。图5、图10是PEI电容,图6是胆贴片电容。

功率设计 | 2016-05-26 16:24 评论

PCB布局时如何摆放及安装去耦电容

对于电容的安装,首先要提到的就是安装距离。容值最小的电容,有最高的谐振频率,去耦半径最小,因此放在最靠近芯片的位置。容值稍大些的可以距离稍远,最外层放置容值最大的。但是,所有对该芯片去耦的电容都尽量靠近芯片。

功率设计 | 2016-05-13 11:52 评论

中国大陆功率半导体专利大飞跃 日企如何竞争?

功率半导体器件是用来进行电力转换和供应的半导体元件,从汽车、铁路等工业设备到空调、冰箱等消费类产品,用途十分广泛。

功率设计 | 2016-05-12 15:28 评论

用集成驱动器优化GaN性能

氮化镓 (GaN) 晶体管的开关性能要优于硅MOSFET,因为在同等导通电阻的情况下,氮化镓 (GaN) 晶体管 的终端电容较低,并避免了体二极管所导致的反向恢复损耗。

功率设计 | 2016-05-10 15:39 评论

大陆封测整合成新势力 将吸引大量订单

高通(Qualcomm)已投资中芯长电,联发科亦积极与长电、通富合作,凸显大陆晶圆代工及封测厂结盟新策略,已逐渐整合成新势力,未来芯片厂封测订单恐大举转向,并对相关台厂造成更大竞争压力。

功率设计 | 2016-05-10 00:03 评论

如何提升可穿戴设备的续航能力?

众所周知,续航能力主要由两个因素决定,分别是电池容量和功耗,电池容量越高越好,而功耗则需要降到最低。不幸的是,在新的电池技术或者材料出现之前,电池容量可提升的空间非常有限,所以压力几乎落在如何降低功耗上了。

功率设计 | 2016-05-06 11:57 评论

三菱电机2016功率模块技术研讨会:共讨电力电子最新发展趋势

4月28日,在春光明媚的深圳,三菱电机一年一度的功率模块技术研讨会顺利举行了,三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生携应用技术总监宋高升先生以及三菱电机功率器件制作所应用技术部部长山田顺治先生出席了会议,此次会议共吸引了近200名行业内专家、客户工程师及终端用户出席。

功率设计 | 2016-05-04 11:43 评论

材料之王 石墨烯的神奇之处

关于石墨烯,坊间有戏言,称其“除了不能吃,石墨烯可以用于一切领域,一切产品中”,石墨烯被广泛应用。由于其独有的特性,石墨烯被称为“神奇材料”,科学家甚至预言其将“彻底改变21世纪”。

功率设计 | 2016-04-28 14:29 评论

基准噪声如何影响增量 累加ADC中的DC噪声性能

你评估过一个ADC的噪声性能,并且发现测得的性能不同于器件数据表中所给出的额定性能吗?在高精度数据采集系统中实现高分辨率需要对模数转换器 (ADC) 噪声有一定的认识和了解。

功率设计 | 2016-04-26 15:05 评论

开关电源PCB设计技巧和电气安全规范

在任何开关电源设计中,PCB板的物理设计都是最后一个环节,如果设计方法不当,PCB可能会辐射过多的电磁干扰,造成电源工作不稳定。

功率设计 | 2016-04-21 01:09 评论

日本启动节能型半导体项目 诺奖得主天野领军

日本文部科学省(简称“文科省”)将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。

功率设计 | 2016-04-18 09:35 评论

三菱电机开始提供采用第7代硅片的 “G1系列IPM模块” 样品

三菱电机株式会社开发了采用第7代IGBT的“G1系列IPM模块”,并从2016年5月依次开始提供样品。6种类52品种的产品阵容,可对应广泛用途的工业设备,有助于通用变频器、伺服驱动器、电梯等工业设备降低损耗、减小体积、提高可靠性。

功率设计 | 2016-04-15 17:23 评论

嵌入式设计入门:三极管基础电路设计

在嵌入式电路中,三极管一般作为开关器件和功率器件使用,下面就从这两个方面讲解嵌入式中三极管基础电路的设计。

功率设计 | 2016-04-15 00:15 评论

华虹半导体90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

华虹半导体有限公司3月6日宣布公司90纳米嵌入式闪存(eFlash)工艺平台已成功实现量产,基于该平台制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特点,具有很强的市场竞争优势。

功率设计 | 2016-04-08 01:01 评论

英伟达再诉高通垄断 索赔3.52亿美元

根据国外媒体报道称,芯片商英伟达(NVIDIA)控诉高通(Qualcomm)垄断芯片市场,并要求对方做出3.52亿美元的赔偿。

功率设计 | 2016-04-07 10:38 评论
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