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三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片

2010-04-01 18:03
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         三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片

         这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,功耗相比于上一代产品降低35%,能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。

         三星指出,目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条,总容量最大96GB,如果是60nm 1Gb DDR2芯片,内存子系统功耗可达210W,换成40nm 2Gb DDR3芯片就只消耗55W,而最新的40nm 4Gb DDR3会进一步降至仅仅36W,也就是节能83%之多,相当于为每套服务器系统节约10%的功耗。

          由于单颗芯片容量翻番,4Gb DDR3芯片的量产也能大大推动单条32GB内存条的普及。

          三星从去年七月开始引入40nm级别的DDR DRAM生产工艺,并计划将该工艺的生产比例逐渐提高到90%以上。

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