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Tezzaron将采用FaStack技术用于生产下一代3D芯片

2010-06-25 10:13
汉水狂客
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      ElpidaMemoryInc、PowertechTechnologyInc和UnitedMicroelectronicsCorp.(UMC)在本周组成联盟,以加速开发采用28纳米节点以及其它工艺的3D芯片。

      这些3D设备将采用TSV技术。这项合作将充分利用尔必达(Elpida)公司的DRAM技术、Powertech的组装线和UMC的代工逻辑技术来开发3D设备,其中包括集成了逻辑器件和DRAM的3D设备。

      Tezzaron公司至少和一个代工伙伴展开合伙——CharteredSemiconductorManufacturingPte.Ltd.——这家公司最近被GlobalFoundries收购。

      Mosis为设计人员提供先进的集成电路制造服务。CMC提供设计服务、设计工具、设立测试实验室和为客户安排生产。CMP是IC和MEMS产业中提供原型设计和小批量生产的中介。

      又一个3D(三维)芯片联盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一项3D多项目晶圆(MPW)服务,以Tezzaron公司的3D芯片技术和GlobalFoundries公司的130纳米CMOS代工工艺为基础。

      首次MPW生产在2011年1月。到时将利用两层面对面的粘接晶圆和针对这两层晶圆的130纳米CMOS工艺。上层将利用TSV和背面金属片用于焊线。此外,还有一套带标准单元和IO库的设计工具包。

      多年以来,Tezzaron一直在致力于研发基于3D晶圆堆栈和硅通孔制程(TSV,Through-Silicon-Via,通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的技术)的高速存储产品。据称将采用Tezzaron公司的FaStack技术用于生产3D芯片。该制程的重点是晶圆的堆栈和焊接过程。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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