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尔必达将量产40纳米以下DRAM芯片 制程比三星更小

2010-09-30 10:43
魏丁小陆
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  9月29日上午消息,据《日本经济新闻》周三报道,尔必达计划在今年12月开始量产40纳米以下的DRAM芯片,此举预计可节省生产成本约30%。

  尔必达即将量产的DRAM芯片线宽仅略大于30纳米,比三星电子的最新制程更小。至目前为止,三星仍是全球首家跨入40纳米制程以下的公司。

  报道称,尔必达已开发出的“双重曝光 (double-patterning)”新技术,能用现有的设备来达成更精细制程,而无需进行大规模的资本投资。

  尔必达位于日本广岛的工厂,将于12月率先量产新DRAM芯片;瑞晶电子预定在2011年底之前启动。

  转入DRAM新制程,初估可增加尔必达芯片收益约45%,进而压低生产成本30%,达到与三星相同的水准。

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