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首个0.13微米嵌入式闪存成功量产

2010-09-26 09:53
水墨黯月
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  上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体),专注于差异化技术的半导体制造业领先企业之一,宣布其代工的0.13微米嵌入式闪存首个产品已成功进入量产阶段。

  宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程结合了其基于SST SupeRFlash上已经量产的自对准分栅闪存技术和自身的0.13微米逻辑技术。闪存单元尺寸只有0.38平方微米,是目前0.13微米技术节点上最小的单元尺寸,其卓越的性能还能支持最大到16Mbit的SoC设计,在业内十分具有竞争力。

  这一最小的单元同时还满足了编程效率高和无过度擦除的需求,能让系统设计师设计出更具竞争优势的嵌入式闪存单元。此新技术还具有极高的耐擦写能力和数据保持特性,可重复擦写10万次,数据可保留100年。

  宏力半导体的0.13微米嵌入式闪存制程为客户提供了两种解决方案。Dual-gate特别适合SIM card的客户,由于其光罩层数少,模块尺寸小等优势,在市场上已经成为性价比最高的解决方案。而Triple-gate适用于通用和低压产品,应用范围广泛,包括MCU、U盘、智能卡以及汽车电子市场。

  宏力半导体经过大量生产验证的0.13微米嵌入式闪存制程与其0.13微米通用和低压逻辑制程完全匹配,因此易于迁移。对客户而言,良好的兼容特性保证了现有的标准单元库和IP能够与新制程无缝衔接。

  “自2008年起,宏力半导体已经生产了成千上万片0.18微米的嵌入式闪存晶圆,极小的单元尺寸和极少的光罩数,在业内极具优势,也让宏力半导体宏力迅速在智能卡市场占据了份额。与此同时,我们还始终保持着95%以上的良率,因而赢得了客户对我们的信赖。” 宏力半导体销售市场服务单位资深副总卫彼得博士表示,“宏力半导体将于今年年底完成基于0.13微米节点的单元缩小的研发工作,这个全新且极具竞争力的嵌入式闪存制程将针对高容量的产品应用。”

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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