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中芯每年投资逾20亿美元 誓追世界技术水准

2010-11-08 09:24
夜隼008
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  陆晶圆代工厂中芯国际连2季业绩获利,日前亦正式入主武汉新芯,并且定调公司未来发展将专注于主流市场,董事长江上舟指出,在新产品技术研发方面,未来每年将投入至少20亿美元,期许在5年内追上世界水平。

  江上舟出席第3届浦江创新论坛时指出,中芯正在进行45奈米制程项目,需要投资逾40亿美元,32奈米制程项目则需要6亿美元。他表示,过去中芯发展太散,许多项目都是地方政府承诺投资,公司就过去办厂,当资金跟不上的时候,项目就陷入困境。

  江上舟指出,目前中芯60%多的股东及许多员工都是外籍的,国际化道路让其在3年前就彻底打破国外技术禁运限制,可获得国外先进技术。因此,未来在新产品研发方面,每年将投入至少20亿美元,期许在5年内追上世界水平。

  目前中芯65奈米制程已进入量产,预计2011年下半45奈米将可贡献营收,不过,相较于台积电28奈米将进入量产,仍有相当大的差距。针对大陆半导体业发展,江上舟认为,中芯知道怎么避免失败、怎么走向成功,可以结束大陆缺芯局面。所谓缺芯,亦即缺少核心,可说是大陆科技业界多年来相当受关注议题。

  江上舟表示,目前技术上没能赶上先进国家,缺乏有国际竞争力的企业,大部分企业都没有赚到钱,缺芯问题已经影响到大陆产业安全和升级。中芯在十二五的基础上,争取用5年时间解决大陆缺芯问题。

  中芯于2009年作出重大人事调整,由江上舟接替退休的王阳元院士,担任中芯董事长,同时公司创始人、董事会执行董事、集团总裁兼CEO张汝京辞任,由王宁国接任。

  此外,台积电日前甫宣布2011年资本支出将高于2010年59亿美元,其中,研发费用将提高至11亿美元。2010年台积电研发资本支出约4亿美元,2011年将提高至7亿美元,主要投入28、20、14、10及7奈米制程研发,以及特殊制程技术研发等。

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