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2011年度日本封装技术发展蓝图

导读: 2011年5月13日,日本电子信息技术产业协会(JEITA)举办了明确2020年之前的封装技术发展方向的《2011年度版日本封装技术发展蓝图》报告会。该发展蓝图每两年修改一次,此次为第7版。

  2011年5月13日,日本电子信息技术产业协会(JEITA)举办了明确2020年之前的封装技术发展方向的《2011年度版日本封装技术发展蓝图》报告会。该发展蓝图每两年修改一次,此次为第7版。

  日本封装技术发展蓝图是日本的封装领域技术代表(约70人)历时两年,以向各公司的问卷调查结果等为基础,经过70多次讨论后制定的。蓝图给出的数值只是封装领域需要的技术水平的“平均值”,“达不到该发展蓝图数值的厂商可能会被淘汰出局”(担任封装技术发展蓝图委员长的日本爱斯佩克公司的高桥邦明)。

  在半导体封装技术动向中,引人注目的是发展蓝图明确提出了使用TSV(硅贯通孔)的存储器超宽I/O化技术。以存储器用封装的最大端子数为例,对于通常的PoP,在2010年到2020年期间将保持在240端子。但是,从2014年起,宽I/O型存储器将问世,发展蓝图将调整为双系统。当存储器为宽I/O型时,最大端子数将增加到2014年的1200端子、2018年的2400端子。对于这种宽I/O型存储器(DRAM),尔必达存储器等公司正在考虑投产。

 

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