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超高速接口的ESD保护技术

导读: 在ESD保护器件的选择方面,传统上常用的ESD保护器件有齐纳二极管、金属氧化物可变电阻(MOV)和瞬态电压抑制二极管(TVS)。

  近年来,消费者对手机、计算机、数码相机等便携电子产品的功能要求越来越高,相应的功能性I/O端口也随之越来越多。消费者在电缆连接和断开时将有更大可能触摸到I / O连接器的引脚。在正常工作条件下,触摸一个暴露的端口或接口,可以导致超过30kV以上电压的放电。小线宽的半导体器件由于不能承受过高的电压、过高电流或者是两者的结合而被损坏,过高的电压可能会导致栅氧化层被击穿,而过高的电流会造成结发生故障和金属连线熔化。

  在ESD保护器件的选择方面,传统上常用的ESD保护器件有齐纳二极管、金属氧化物可变电阻(MOV)和瞬态电压抑制二极管(TVS)。

  确保信号完整性对ESD保护器件的设计要求首先要保证有很高的抗静电放电能力,其次就是要确保信号完整性的要求的足够低的电容、更高的带宽及ESD保护器件批次的一致性。

  案例:

  1. 谁伤害了你的硬件:剖析静电放电现象

  摘要:近期i865主板频频发生南桥芯片烧毁的事件,这一事件吸引了业界对静电放电(ElectroStatic Discharge,ESD)问题的关注。那么ESD是怎样造成硬件损坏的?厂商会采取哪些措施来防范ESD?电脑用户在使用过程中该如何避免ESD的危害呢?

  详情请参阅:http://www.jb51.net/hardware/zonghe/14024.html

  2. 拒绝慢性毒药:主板静电造成危害详解

  摘要:随着电子制作工艺的发展与改良,如今集成电路越来越密集,如国外微电路制造已普遍采用0.8-1.0um, 国内也达到2-3um的水平,微细工艺的快速发展更突显ESD静电放电对电子工业的危害,ESD静电放电对精密半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;造成反向偏置和正向偏置的PN结短路;融化有源器件内部的焊接线或铝线。

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