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台积电只会有一种20nm版本工艺 在认真考虑18/16nm

导读: 台积电28nm工艺提供了四种版本。虽然为客户提供了更多、更有针对性的选择,但开发和生产难度因此大大提高,也分散了原本就不充裕的产能。为了不再20nm工艺上重演悲剧,台积电已经决定改变做法,不再划分不同的工艺版本。

  台积电28nm工艺提供了HP HKMG高性能、HPL HKMG低漏电、LP SION低成本、HPM HKMG移动计算四种版本。虽然为客户提供了更多、更有针对性的选择,但开发和生产难度因此大大提高,也分散了原本就不充裕的产能。为了不再20nm工艺上重演悲剧,台积电已经决定改变做法,不再划分不同的工艺版本。

  台积电在近日举行的技术年会上宣布了这一消息。

  台积电执行副总裁、联合首席运营官、资深老将蒋尚义表示,台积电原本准备了两种20nm版本,一是高性能一是低功耗,都继续使用HKMG技术,但经过反复研究后发现两种版本之间并没有明显的性能差异,因为20nm工艺下的晶体管间距已经如此之小,基本逼近了物理极限,没有太多调整的余地。

  蒋尚义说,台积电预计明年就开始投产20nm工艺。

  他还透露说,20nm之后,如果光刻技术不足以支撑足够高成本效率的14nm工艺,台积电会考虑18nm或者16nm这样的“半代工艺”作为过渡。

  随着半导体技术复杂度的大幅提高,14nm将会是一个异常严峻的考验,需要新的晶体管架构(比如说FinFET 3D)等创新技术,因此开发代价也必然会相当高昂,很容易导致新工艺芯片的成本反而比20nm的还要高,因此作为折中和妥协,开发18/16nm等半代工艺也是很合理的。

  台积电的另一个担心是,14nm工艺可能需要极紫外(EUV)光刻技术,但是2015年之前或许都无法实现它,因为其一直不够非成熟,而且功耗太高,暂时没有合适的电源。ASML Holding NV等光刻设备提供商正在努力调整193毫米沉浸式光刻技术,以适应14nm工艺,但为了获得足够高的光刻质量,需要大量的双重曝光显影乃至是三重曝光(triple-patterning),量产难度和成本都太高。

  蒋尚义说,台积电正在“非常认真地考虑”是否做18/16nm工艺,“因为如果选择了它们,就必须为客户提供长达十年的服务”。

  台积电只会有一种20nm 在认真考虑18/16nm

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