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浦项化工成功研制“像荷叶不沾水”的半导体

导读: 研究人员使用钨氧化物促使纳米线成长,并切除单分子膜制造了储存器。纳米线呈现发根形状,宽10亿分之1m的结构。

  22日,浦项化工龙基忠教授表示:“根据荷叶不沾水的原理,成功研制了不沾水的“防水存储器。”

  荷叶一尘不染的原因在于粗糙的荷叶面。它的表面上有许多微小的乳突,乳突的平均大小约为3至10μm(1μm等于1/100的1m)。它们拥有排水性,使其不被吸收、自然随水滴从表面滑落。

  研究人员使用钨氧化物促使纳米线成长,并切除单分子膜制造了储存器。纳米线呈现发根形状,宽10亿分之1m的结构。

  龙教授表示:“防水储存器在水中安全运转,预计可以运用到‘防水智能手机’、‘防水计算机’等领域。”

  本次研究结果将于10日刊登在学术杂志《AdvancedMaterials》。

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