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14nm的到来再次掀翻摩尔定律

导读: 摩尔定律是推动集成电路性能前进的影响力参数。在过去数十年里集成电路数量每两年就翻一倍。现在这个步伐已经被超越?至少14nm制程和FinFET技术的开发商是这么看的。

  摩尔定律是推动集成电路性能前进的影响力参数。在过去数十年里集成电路数量每两年就翻一倍。现在这个步伐已经被超越?

  至少14nm制程和FinFET技术的开发商是这么看的。英特尔、IBM、东芝、三星都在采纳14nm制程,并将在研发工作完成后尽快投入FinFET量产。

  FinFET技术由加州大学伯克利分校的研究人员所发明,能够带来一些显著的性能提升,包括能够严格控制亚微米级下的短沟道效应、降低短态电流。

  而且该技术能够以单个晶体管作为多门设备。使用实验性的闸极堆叠材料和设备架构也能显著影响模拟设备属性。

  

  14nm制程本质上更便宜、更简单,因为埋入氧化物层能够阻止蚀刻,让蚀刻变得非常简单

  IBM在行动

  IBM已经开始转向14nm节点、SOI(绝缘层上硅)晶圆的FinFET技术。事实上,这家公司打算在所有14nm产品上采用SOI晶圆,包括IBM内部使用的服务器处理器和对外提供的ASIC。

  IBM半导体研究中心副总裁Gary Patton最近在公共平台技术论坛解释了SOI相对块状硅(bulk silicon)晶圆的优势,“制程复杂度得到降低,因为埋入氧化物层能够阻止蚀刻,让蚀刻变得非常简单。而且14nm的成本问题也已经解决”。

  从根本上说,这意味着14nm制程流程步骤的缩减已经抵消了SOI晶圆的成本。SOI的进一步优势是软错误发生率很低。

  IBM已经通过SOI技术开发出DRAM设备。该公司认为进一步将该技术用于垂直配置设备相对简单的看法非常正确。

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