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飞兆30V新MOSFET为设计带来极佳功率密度

导读: 在能源效率标准和最终系统要求的推动之下,电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。

  在能源效率标准和最终系统要求的推动之下,电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗,能够满足这些需求。

  FDMC8010采用飞兆半导体的PowerTrench? 技术,非常适合要求在小空间内实现最低RDS(ON) 的应用,包括:高性能DC-DC降压转换器、负载点(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件,能够将封装尺寸从5mm x 6mm减小为3.3mm x 3.3mm,节省66%的MOSFET占位面积。

  在隔离型1/16th brick DC-DC转换器应用中,Power 33 MOSFET的最大RDS(ON)仅为1.3mΩ,与具有同等占位面积的竞争解决方案相比减小了25%。此外,该器件减小了传导损耗,从而提高散热效率多达25%。 要了解更多的信息及索取样品,请访问公司网页:http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html

  特性和优势

  高性能技术,具有业界最佳RDS(ON),最大仅为1.3 mΩ

  3.3mm x 3.3mm行业标准外形尺寸,PQFN,节省线路板空间

  FDMC8010具有更低的传导损耗,能够实现比竞争解决方案更高的功率密度和更高的效率。

  无铅RoHS封装

  新增PowerTrench器件丰富了飞兆半导体中等电压范围MOSFET产品阵容,作为齐全的PowerTrench MOSFET产品系列的一部分,它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求,在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。

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