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应用材料公司推出关键离子注入技术

导读:  应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统,即全新的AppliedVarianVIISta?Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能,新型VIIStaTrident系统是唯一一台被证明能够确保成品率,在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统

  应用材料公司宣布推出半导体业界最先进的单硅片大电流离子注入系统,即全新的AppliedVarianVIISta?Trident系统。通过嵌入“掺杂物”原子以调整芯片电性能,新型VIIStaTrident系统是唯一一台被证明能够确保成品率,在20纳米技术节点实现高性能低功耗逻辑芯片制造的离子注入系统。

  在20纳米技术节点,优化掺杂物激活和减少扩展、源/漏结及接触区域的缺陷,成为阻碍高性能晶体管微缩化的重大挑战。VIIStaTrident系统具有准确调整掺杂物浓度和深度分布的独特能力,对于先进器件的优化性能、控制漏电流和降低可变性至关重要。

  应用材料公司副总裁兼维利安产品事业部总经理BobHalliday表示:“制造一枚常规先进逻辑芯片需要多达60个离子注入步骤,包括共同离子注入和精密材料改性应用,其中很多步骤对器件的性能至关重要。我们VIIStaTrident技术的精准度是帮助客户实现尖端芯片设计可盈利成品率的关键。这一标杆性性能巩固了应用材料公司在为客户提供最先进晶体管制造解决方案方面的领导地位。如今,所有制造20纳米芯片的主要代工厂都在将我们的VIIStaTrident系统作为首选设备使用。”

  Trident系统性能优越的关键在于其具有专利的双磁体带状光束架构,实现了增强型低能量性能。该系统的能量纯度模块几乎消除了会“玷污”关键晶体管通道并导致漏电流增加、性能降低的有害高能量成分。

  相匹配的低温技术可实现低至零下100°C的制造注入,提供晶体管间性能一致的卓越工艺控制。这对于制造在位缓冲存储器中的嵌入式SRAM单元尤其重要,在此,构成每个单元的6个或8个晶体管

  Trident系统是应用材料公司在SEMICONWest2012(将于2012年7月10-12日在美国加利福尼亚州旧金山举办)上宣布推出的诸多重要技术之一。

  应用材料公司是一家全球领先的高科技企业。应用材料的创新设备、服务和软件被广泛应用于先进半导体芯片、平板显示器和太阳能光伏产品制造产业。我们的技术使智能手机、平板电视和太阳能面板等创新产品以更普及、更具价格优势的方式惠及全球商界和普通消费者。在应用材料,我们应用今天的创新去成就明天的产业。

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