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华润上华推出0.25微米Scalable BCD工艺平台

导读: 华润上华”宣布已完成0.25微米ScalableBCD工艺平台开发,其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求,进一步提高了华润上华BCD系列工艺平台的技术优势。

  华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)宣布已完成0.25微米ScalableBCD工艺平台开发,其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求,进一步提高了华润上华BCD系列工艺平台的技术优势。

  华润上华的0.25微米ScalableBCD工艺平台为0.5微米前段制程与0.25微米后段制程,由之前0.25微米24VBCD工艺平台延伸而来,核心器件工作电压为5V,提供DMOS工作电压为12V至45V的高压器件与功率器件,其击穿电压由20V延伸到80V。该工艺广泛应用于DC-DC电源转换、LED照明驱动及LED背光驱动IC

  该工艺后段采用铝制程,最多可支持5层铝连线,具有低Rdson的优秀性能表现,提供多种优化的器件结构,以帮助客户提升成本效益的设计优势。与华润上华的0.25微米24VBCD工艺相比,0.25微米ScalableBCD工艺平可以将芯片DMOS工作电压延伸更高至45V。同时该工艺能提供多段式电压的选择,可藉由调整设计而不额外增加光罩层数,具有低成本、高可移植性的优势,能够满足多样化的产品设计需求。

  与此同时,华润上华0.25微米ScalableBCD工艺平台可提供经验丰富的ESD解决方案与ESD设计支持,设计支持部分可提供完整的PDK与优化的设计流程,以满足客户芯片设计的需求。

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