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罗姆于世界首次实现SiC-SBD与SiC-MOS FET的一体化封装 将于7月量产

—— 大大降低逆变器的功耗 有效减少部件个数

导读: 日本知名半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出耐压高达1200V的第2代SiCMOSFET"SCH2080KE"。此产品损耗低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。

  日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出耐压高达1200V的第2代SiC(Silicon carbide:碳化硅)MOSFET"SCH2080KE"。此产品损耗低,可靠性高,在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。

  本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压(VF)降低70%以上,实现更低损耗的同时还可减少部件个数。

  生产基地在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县),从6月份开始出售样品,从7月份开始陆续量产。

第2代SiCMOSFET“SCH2080KE”

  ※根据罗姆的调查(截至2012年6月14日)

  现在,在1200V级别的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT,但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大,因此,更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是,传统的SiC-MOSFET,体二极管通电导致的特性劣化(导通电阻和正向电压的上升/耐性劣化)和栅氧化膜故障等可靠性方面的课题较多,之前无法实现真正的全面导入。

  此次,罗姆通过改善晶体缺陷相关工艺和元件构造,成功地攻克了包括体二极管在内的可靠性方面的所有课题。而且,与传统产品相比,单位面积的导通电阻降低了约30%,实现了芯片尺寸的小型化。

  另外,通过独创的安装技术,还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装,使SiC-MOSFET的体二极管长久以来的课题-降低正向电压成为可能。

  由此,与一般的逆变器中所使用的Si-IGBT相比,工作时的损耗降低了70%以上,实现了更低损耗的同时,还实现了50kHz以上的更高频率,而且有助于外围部件的小型化。

30kHz时的损耗比较

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