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GLOBALFOUNDRIES将代工ST公司28nm和20nm FD-SOI芯片

导读: 意法半导体宣布,引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的FD-SOI技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。

  意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布,引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的FD-SOI(FullyDepletedSilicon-on-Insulator,全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高,要求既能处理精美的图片,支持多媒体和高速宽带上网功能,同时又不能牺牲电池寿命。在设备厂商满足消费者这些需求的努力中,意法半导体的FD-SOI芯片的量产和上市将起到至关重要的作用。

  多媒体融合应用需要性能和能效兼备的半导体技术。随着芯片外观尺寸不断缩小,传统技术无法使晶体管的性能和电池寿命同时达到最高水准,无法在实现最优性能的同时确保温度不超过安全限制。解决之道是采用FD-SOI技术,该技术兼备最高性能、低工作功耗(在各种应用中,降低电源功率后还能保持良好的性能)和低待机功耗。

  凭借其注重成本效益的平面型FD-SOI技术,意法半导体率先推出了28纳米的全耗尽型器件,遥遥领先竞争对手。为FD-SOI货源提供双重保障,意法半导体与GLOBALFOUNDRIES签订了代工协议,以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。28n纳米FD-SOI器件目前已商用化,预计于2012年7月前投入原型设计;而20纳米FD-SOI器件目前处于研发阶段,预计2013年第三季度投入原型设计。

  意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代移动平台,这项技术将使ST-Ericsson的NovaThor平台具有更高的性能和更低的功耗,在发挥最高性能的时候可降低功耗达35%。

  意法半导体计划向GLOBALFOUNDRIES的其它客户开放FD-SOI技术,让他们能够使用目前最先进的28纳米和20纳米技术研发产品。

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